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MBR0520L_NL

更新时间： 2024-11-18 21:13:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 42K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.5A, 20V V(RRM), Silicon, LEAD FREE PACKAGE-2

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MBR0520L_NL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PDSO-G2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.11
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.31 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：5 A
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：0.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散：0.4 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：20 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MBR0520L_NL 数据手册

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MBR0520L  
Features  
• 0.5 Ampere, low forward voltage, less then 385mV  
• 400 milliwatt Power Dissipation package  
• Compact surface mount package with the same  
footprint as mini-melf  
SOD123  
Color Band Denotes Cathode  
Mark: B2  
Schottky Rectifier  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VRRM  
IF(AV)  
IFSM  
Maximum Repetitive Reverse Voltage  
Average Rectified Forward Current  
Non Repetitive Peak Forward Current  
20  
500  
5.5  
V
mA  
A
(Surge applied at rated load conditions half wave, single phase, 60 Hz)  
Tstg  
Storage Temperature Range  
-65 to +150  
-65 to +125  
C
C
°
°
Tj max  
Operating Junction Temperature  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
Thermal Resistance Junction to Ambient*  
Thermal Resistance Junction to Lead  
340  
150  
RθJA  
RθJL  
C/W  
°
°C/W  
*FR-4 or FR-5 = 3.5 x 1.5 inches using minimum recommended Land Pads.  
Electrical Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VF  
Forward Voltage  
Reverse Current  
@ IF = 100 mA,  
IF = 100 mA, TA = 100 °C  
IF = 500 mA,  
300  
220  
385  
330  
mV  
mV  
mV  
mV  
I = 500 mA, T = 100 C  
°
F
A
IR  
@ VR = 10 V,  
VR = 10 V, TA = 100 °C  
VR = 20 V,  
75  
5.0  
250  
8.0  
µA  
mA  
µA  
mA  
V = 20 V, T = 100 C  
°
R
A
2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
MBR0520L, Rev. B  
123

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