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MBN400GR12AW

更新时间： 2024-01-23 05:26:00
品牌 Logo 应用领域
日立 - HITACHI 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 122K
描述
Silicon N-channel IGBT

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MBN400GR12AW 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Transferred
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.21Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY, LOW NOISE外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：400 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X4元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2500 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：700 ns标称接通时间 (ton)：350 ns
VCEsat-Max：2.8 VBase Number Matches：1

MBN400GR12AW 数据手册

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IGBT MODULE  
MBN400GS12AW  
Silicon N-channel IGBT  
OUTLINE DRAWING  
Unit in mm  
FEATURES  
* High speed and low saturation voltage.  
* low noise due to built-in free-wheeling  
diode - ultra soft fast recovery diode(USFD).  
* Isolated head sink (terminal to base).  
E
C
E
G
TERMINALS  
Weight: 480 (g)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tc=25 C )  
°
Item  
Symbol  
VCES  
Unit  
V
MBN400GS12AW  
1,200  
20  
Collector Emitter Voltage  
Gate Emitter Voltage  
Collector Current  
VGES  
IC  
ICp  
IF  
IFM  
Pc  
Tj  
Tstg  
VISO  
-
V
±
DC  
1ms  
DC  
400  
800  
400  
800  
A
Forward Current  
(1)  
A
1ms  
Collector Power Dissipation  
J unction Temperature  
Storage Temperature  
Isolation Voltage  
W
2,000  
C
C
-40 ~ +150  
-40 ~ +125  
2,500(AC 1 minute)  
1.37(14)/2.94(30)  
2.94(30)  
°
°
VRMS  
Screw Torque  
Terminals  
Mounting  
(2)  
(3)  
N.m  
(kgf.cm)  
-
Notes:(1)RMS Current of Diode 120Arms max.  
(2)Recommended Value 1.18/2.45N.m(12/25kgf.cm)  
(3)Recommended Value 2.45N.m(25kgf.cm)  
CHARACTERISTICS (Tc=25 C )  
°
Item  
Symbol Unit Min. Typ. Max.  
Test Conditions  
1.0 VCE=1,200V,VGE=0V  
500 VGE= 20V,VCE=0V  
Collector Emitter Cut-Off Current  
I CES  
mA  
-
-
Gate Emitter Leakage Current  
IGES  
nA  
-
-
±
±
Collector Emitter Saturation Voltage  
Gate Emitter Threshold Voltage  
Input Capacitance  
VCE(sat)  
VGE(TO)  
Cies  
tr  
ton  
tf  
V
V
pF  
-
-
-
-
-
-
2.7  
-
37,000  
0.25  
0.4  
3.4 IC=400A,VGE=15V  
10 VCE=5V, IC =400mA  
-
VCE=10V,VGE=0V,f=1MHz  
Rise Time  
0.5 VCC=600V  
s
m
Turn On Time  
0.7 R =1.5  
W
W
L
Switching Times  
Fall Time  
0.25  
0.35 R =2.7  
(4)  
G
Turn Off Time  
Peak Forward Voltage Drop  
toff  
VFM  
-
-
0.75  
2.5  
1.1 VGE= 15V  
3.5 IF=400A,VGE=0V  
±
V
Reverse Recovery Time  
Thermal Impedance IGBT  
FWD  
trr  
Rth(j-c)  
Rth(j-c)  
s
-
-
-
-
-
-
0.4 IF=400A,VGE=-10V, di/dt=400A/ s  
m
m
C/W  
0.06  
0.14  
J unction to case  
°
Notes:(4) RG value is the test condition’s value for decision of the switching times, not recommended value.  
Determine the suitable RG value after the measurement of switching waveforms  
(overshoot voltage,etc.)with appliance mounted.  
PDE-N400GS12AW-0  
1234

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