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MBM29LV200B-10PFTN

更新时间： 2024-01-03 11:23:24

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
70页	3301K
描述
Flash, 256KX8, 100ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48

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MBM29LV200B-10PFTN 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	PLASTIC, TSOP1-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.84	最长访问时间：	100 ns
其他特性：	CAN ALSO BE CONFIGURABLE AS 128K X 16 ;100K PROGRAM/ERASE CYCLE MIN	备用内存宽度：	8
启动块：	BOTTOM	命令用户界面：	YES
数据轮询：	YES	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G48	JESD-609代码：	e0
长度：	18.4 mm	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	部门数/规模：	1,2,1,3
端子数量：	48	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSSOP48,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	16K,8K,32K,64K
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.035 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

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与MBM29LV200B-10PFTN相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBM29LV200B-10PFTR	FUJITSU	获取价格	Flash, 256KX8, 100ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48
MBM29LV200BC	FUJITSU	获取价格	2M (256K X 8/128K X 16) BIT
MBM29LV200BC-12	FUJITSU	获取价格	2M (256K X 8/128K X 16) BIT
MBM29LV200BC-12PFTN	FUJITSU	获取价格	2M (256K X 8/128K X 16) BIT
MBM29LV200BC-12PFTR	FUJITSU	获取价格	2M (256K X 8/128K X 16) BIT
MBM29LV200BC-12PFTR-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 256KX8, 120ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48
MBM29LV200BC-70	FUJITSU	获取价格	2M (256K X 8/128K X 16) BIT
MBM29LV200BC-70PF	SPANSION	获取价格	Flash, 128KX16, 70ns, PDSO44, PLASTIC, SOP-44
MBM29LV200BC-70PF	FUJITSU	获取价格	Flash, 128KX16, 70ns, PDSO44, PLASTIC, SO-44
MBM29LV200BC-70PF-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 128KX16, 70ns, PDSO44, PLASTIC, SOP-44