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MBM29F016A-70PFTN

更新时间： 2024-11-10 22:58:07

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富士通 - FUJITSU		/
页数	文件大小	规格书
43页	441K
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16M (2M X 8) BIT

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MBM29F016A-70PFTN 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	PLASTIC, TSOP1-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.39	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	MINIMUM 100K WRITE/ERASE CYCLES	命令用户界面：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
部门数/规模：	32	端子数量：	48
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：	-20 °C	组织：	2MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装等效代码：	TSSOP48,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	64K
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.045 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.75 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	12 mm
Base Number Matches：	1

MBM29F016A-70PFTN 数据手册

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FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-20844-4E

FLASH MEMORY

CMOS

16M (2M × 8) BIT

MBM29F016A^-70/-90/-12

■ FEATURES

• Single 5.0 V read, write, and erase

Minimizes system level power requirements

• Compatible with JEDEC-standard commands

Pinout and software compatible with single-power supply Flash

Superior inadvertent write protection

• 48-pin TSOP(I) (Package Suffix: PFTN-Normal Bend Type, PFTR-Reverse Bend Type)

• Minimum 100,000 write/erase cycles

• High performance

70 ns maximum access time

• Sector erase architecture

Uniform sectors of 64 K bytes each

Any combination of sectors can be erased. Also supports full chip erase.

• Embedded Erase™ Algorithms

Automatically pre-programs and erases the chip or any sector

• Embedded Program™ Algorithms

Automatically programs and verifies data at specified address

• Data Polling and Toggle Bit feature for detection of program or erase cycle completion

• Ready/Busy output (RY/BY)

Hardware method for detection of program or erase cycle completion

• Low V^CCwrite inhibit ≤ 3.2 V

• Hardware RESET pin

Resets internal state machine to the read mode

• Erase Suspend/Resume

Supports reading or programming data to a sector not being erased

• Sector group protection

Hardware method that disables any combination of sector groups from write or erase operation (a sector group

consists of 4 adjacent sectors of 64 K bytes each)

• Temporary sector groups unprotection

Temporary sector unprotection via the RESET pin

Embedded Erase™, Embedded Program™ and ExpressFlash™ are trademarks of Advanced Micro Devices, Inc.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBM29F016A-70PFTN-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 2MX8, 70ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48
MBM29F016A-70PFTR	FUJITSU	获取价格	16M (2M X 8) BIT
MBM29F016A-70PFTR	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT
MBM29F016A-70PFTR-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 2MX8, 70ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48
MBM29F016A-90	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT
MBM29F016A-90	FUJITSU	获取价格	16M (2M X 8) BIT
MBM29F016A-90PFTN	FUJITSU	获取价格	16M (2M X 8) BIT
MBM29F016A-90PFTN	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT
MBM29F016A-90PFTN-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 2MX8, 90ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48
MBM29F016A-90PFTR	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT

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