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MBM29DL164TD-12PFTN

更新时间： 2024-11-29 19:39:15

品牌	Logo	应用领域
飞索 - SPANSION		光电二极管内存集成电路闪存
页数	文件大小	规格书
76页	1064K
描述
Flash, 1MX16, 120ns, PDSO48,

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MBM29DL164TD-12PFTN 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.88
最长访问时间：	120 ns	备用内存宽度：	8
启动块：	TOP	命令用户界面：	YES
通用闪存接口：	YES	数据轮询：	YES
JESD-30 代码：	R-PDSO-G48	JESD-609代码：	e0
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
部门数/规模：	8,31	端子数量：	48
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	1MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP48,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
部门规模：	8K,64K	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.05 mA
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	Base Number Matches：	1

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FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-20874-4E

FLASH MEMORY

CMOS

16M (2M × 8/1M × 16) BIT ^{Dual Operation}

MBM29DL16XTD/BD^-70/90/12

■ FEATURES

• 0.33 µm Process Technology

• Simultaneous Read/Write operations (dual bank)

Multiple devices available with different bank sizes (Refer to Table 1)

Host system can program or erase in one bank, then immediately and simultaneously read from the other bank

Zero latency between read and write operations

Read-while-erase

Read-while-program

• Single 3.0 V read, program, and erase

Minimizes system level power requirements

(Continued)

■ PRODUCT LINE UP

Part No.

V^CC= 3.3 V

MBM29DL16XTD/MBM29DL16XBD

+0.3 V

–0.3 V

—

Ordering Part No.

+0.6 V

–0.3 V

V^CC= 3.0 V

—

120

Max. Address Access Time (ns)

Max. CE Access Time (ns)

Max. OE Access Time (ns)

■ PACKAGES

48-pin plastic TSOP (I)

48-pin plastic FBGA

Marking Side

(FPT-48P-M19)

(FPT-48P-M20)

(BGA-48P-M13)

Embedded Erase^TMand Embedded Program^TMare trademarks of Advanced Micro Devices, Inc.

12 3 4 5 6 7...76

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与MBM29DL164TD-12PFTN相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBM29DL164TD12PFTR	FUJITSU	获取价格	1MX16 FLASH 3V PROM, 120ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48
MBM29DL164TD-12PFTR	FUJITSU	获取价格	Flash, 1MX16, 120ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48
MBM29DL164TD-12PFTR	SPANSION	获取价格	Flash, 1MX16, 120ns, PDSO48,
MBM29DL164TD-70PBT	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation
MBM29DL164TD-70PFTN	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation
MBM29DL164TD-70PFTR	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation
MBM29DL164TD-90PBT	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation
MBM29DL164TD-90PFTN	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation
MBM29DL164TD-90PFTR	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation
MBM29DL164TE	FUJITSU	获取价格	16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation

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