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MBB75A6

更新时间: 2024-10-17 20:15:11
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瑞萨 - RENESAS 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 77K
描述
TRANSISTOR,IGBT POWER MODULE,3-PH BRIDGE,600V V(BR)CES,75A I(C)

MBB75A6 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
风险等级:5.84最大集电极电流 (IC):75 A
集电极-发射极最大电压:600 V门极-发射极最大电压:20 V
元件数量:1子类别:Insulated Gate BIP Transistors
VCEsat-Max:3 VBase Number Matches:1

MBB75A6 数据手册

  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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