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MB84VD22283EA-90

更新时间： 2024-01-12 04:58:42

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		闪存存储内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
63页	1270K
描述
32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 8M (x 8/x16) STATIC RAM

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MB84VD22283EA-90 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA,	针数：	71
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.09	Is Samacsys：	N
其他特性：	512K X 16 SRAM ALSO AVAILABLE	JESD-30 代码：	R-PBGA-B71
长度：	12 mm	内存密度：	33554432 bit
内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	71
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	2MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	7 mm
Base Number Matches：	1

MB84VD22283EA-90 数据手册

MB84VD2228XEA/EE/2229XEA/EE^-90

■ PIN ASSIGNMENT

(Top View)

Marking side

N.C.

A15

N.C.

A16

CIOf

Vss

N.C.

A11

A12

A14

DQ15/A-1 DQ

DQ14

N.C.

A19

A10

DQ13

DQ12

DQ5

CE2s

Vccs

CIOs

WP/ACC RESET RY/BY

Vccf

DQ11

LBs

UBs

A17

DQ10

DQ2

N.C.

VSS

N.C.

CEf

CE1s

N.C.

(BGA-71P-M01)

1 234 5 6 7...63

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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MB84VD22283EA-90-PBS	FUJITSU	32M (X 8/X16) FLASH MEMORY & 8M (X 8/X16) STATIC RAM	获取价格
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