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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP8,.3 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | 风险等级： | 5.89 |
| 模拟集成电路 - 其他类型： | THREE TERMINAL VOLTAGE REFERENCE | JESD-30 代码： | R-GDIP-T8 |
| JESD-609代码： | e0 | 功能数量： | 1 |
| 输出次数： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 最大输出电压： | 5.005 V | 最小输出电压： | 4.995 V |
| 标称输出电压： | 5 V | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP8,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 子类别： | Voltage References |
| 最大供电电流 (Isup)： | 3.3 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 36 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 8 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 10 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | BIPOLAR |
| 最大电压温度系数： | 8 ppm/ °C | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 微调/可调输出： | YES |
| 最大电压容差： | 0.1% | 宽度： | 7.62 mm |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MAX625CNG | MAXIM |
获取价格 |
Quad Peripheral Driver |
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| MAX625ENG | MAXIM |
获取价格 |
Quad Peripheral Driver |
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| MAX626 | MAXIM |
获取价格 |
Dual Power MOSFET Drivers |
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| MAX626 | ADI |
获取价格 |
双路、功率MOSFET驱动器 |
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| MAX626/627/628 | ETC |
获取价格 |
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| MAX626/7/8-TSC426/7/8 | ETC |
获取价格 |
Dual Power MOSFET Drivers |
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| MAX626C/D | MAXIM |
获取价格 |
Dual Power MOSFET Drivers |
|
| MAX626CPA | MAXIM |
获取价格 |
Dual Power MOSFET Drivers |
|
| MAX626CPA+ | MAXIM |
获取价格 |
Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, 2A, CMOS, PDIP8, 0.300 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, DIP- |
|
| MAX626CPA-2 | ETC |
获取价格 |
Dual MOSFET Driver |
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