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MASMBG58CAE3

更新时间: 2024-10-30 17:25:47
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 565K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 58V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-215AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

MASMBG58CAE3 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-215AA
包装说明:R-PDSO-G2针数:2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.3
最大击穿电压:71.2 V最小击穿电压:64.4 V
击穿电压标称值:67.8 V最大钳位电压:93.6 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJEDEC-95代码:DO-215AA
JESD-30 代码:R-PDSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1最大非重复峰值反向功率耗散:600 W
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性:BIDIRECTIONAL最大功率耗散:1.38 W
认证状态:Not Qualified参考标准:MIL-19500
最大重复峰值反向电压:58 V子类别:Transient Suppressors
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
Base Number Matches:1

MASMBG58CAE3 数据手册

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