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MAS5114CS

更新时间： 2024-11-15 20:48:35

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DYNEX		静态存储器
页数	文件大小	规格书
12页	114K
描述
SRAM

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MAS5114CS 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.63
Base Number Matches：	1

MAS5114CS 数据手册

MA5114

Radiation hard 1024x4 Bit Static RAM

Replaces June 1999 version, DS3591-4.0

DS3591-5.0 January 2000

The MA5114 4k Static RAM is configured as 1024 x 4 bits and

manufactured using CMOS-SOS high performance, radiation hard,

3µm technology.

Thedesignusesa6transistorcellandhasfullstaticoperationwith

noclockortimingstroberequired.Addressinputbuffersaredeselected

when Chip Select is in the HIGH state.

FEATURES

■ 3µm CMOS-SOS Technology

■ Latch-up Free

■ Fast Access Time 90ns Typical

■ Total Dose 10⁶Rad(Si)

■ Transient Upset >10¹⁰Rad(Si)/sec

■ SEU <10^-10Errors/bitday

■ Single 5V Supply

Operation Mode CS WE

I/O

Power

Read

Write

D OUT

D IN

ISB1

■ Three State Output

Standby

High Z

ISB2

■ Low Standby Current 50µA Typical

■ -55°C to +125°C Operation

Figure 1: Truth Table

■ All Inputs and Outputs Fully TTL or CMOS

Compatible

■ Fully Static Operation

■ Data Retention at 2V Supply

Figure 2: Block Diagram

1/12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MAS5114CSXXX	MICROSEMI	获取价格	SRAM,
MAS5114FB	DYNEX	获取价格	SRAM
MAS5114FBXXX	MICROSEMI	获取价格	SRAM,
MAS5114FC	MICROSEMI	获取价格	SRAM,
MAS5114FCXXX	MICROSEMI	获取价格	SRAM,
MAS5114FD	DYNEX	获取价格	SRAM
MAS5114FDXXX	MICROSEMI	获取价格	SRAM,
MAS5114FE	DYNEX	获取价格	SRAM
MAS5114FEXXX	MICROSEMI	获取价格	SRAM,
MAS5114FL	MICROSEMI	获取价格	SRAM,