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MART100KP70CE3

更新时间： 2024-11-21 15:40:35

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
7页	434K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 100000W, 70V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-204AR, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 5A, 2 PIN

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MART100KP70CE3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	O-PALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.73
其他特性：	HIGH RELIABILITY	最大击穿电压：	86 V
最小击穿电压：	77.8 V	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JEDEC-95代码：	DO-204AR
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值反向功率耗散：	100000 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	BIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	7 W
参考标准：	MIL-19500	最大重复峰值反向电压：	70 V
表面贴装：	NO	技术：	AVALANCHE
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MART100KP70E3TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 100000W, 70V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, R
MART100KP70TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 100000W, 70V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, P
MART100KP75A/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 100000W, 75V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, P
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MART100KP75AE3/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 100000W, 75V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, R
MART100KP75AE3TR	MICROSEMI	获取价格	100000W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 5A, 2 PIN
MART100KP75ATR	MICROSEMI	获取价格	100000W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC PACKAGE-2
MART100KP75ATRE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 100000W, 75V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, R
MART100KP75CA/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 100000W, 75V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PL
MART100KP75CAE3/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 100000W, 75V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, RO