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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-41 |
| 包装说明： | O-PALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.51 |
| Is Samacsys： | N | 最大击穿电压： | 86.1 V |
| 最小击穿电压： | 77.9 V | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JEDEC-95代码： | DO-204AL |
| JESD-30 代码： | O-PALF-W2 | JESD-609代码： | e3 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 400 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性： | BIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 1.13 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 70.1 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | AVALANCHE | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MAP4KE82CATR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 70.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
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| MAP4KE82CE3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode |
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| MAP4KE82CE3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 66.4V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
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| MAP4KE82CTR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 66.4V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
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| MAP4KE82E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode |
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| MAP4KE82E3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 66.4V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO |
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| MAP4KE82TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 66.4V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO |
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| MAP4KE9.1A | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 7.78V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO |
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| MAP4KE9.1AE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 7.78V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO |
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| MAP4KE9.1AE3/TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 7.78V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO |
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