MA717WKTSK

更新时间： 2024-11-05 13:10:15

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松下 - PANASONIC		微波混频二极管光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	61K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.03A, Silicon

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MA717WKTSK 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.03 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	最大反向恢复时间：	0.001 µs
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

MA717WKTSK 数据手册

Schottky Barrier Diodes (SBD)

MA3X717 (MA717)

Silicon epitaxial planar type

Unit: mm

For switching

+0.10

–0.05

0.40

+0.10

–0.06

0.16

For wave detection

■ Features

• Low forward voltage V_F, optimum for low voltage rectification

• Low V_Ftype of MA3X704A (MA704A)

• Optimum for high frequency rectification because of its short

reverse recovery time (t_rr)

(0.95) (0.95)

1.9±0.1

+0.20

2.90

–0.05

• Mini type 3-pin package

10˚

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

1: Anode

2: N.C.

3: Cathode

Parameter

Reverse voltage (DC)

Peak forward current

Forward current (DC)

Junction temperature

Storage temperature

Symbol

V_R

Rating

Unit

150

EIAJ: SC-59

Mini3-G1 Package

I_FM

I_F

°C

Marking Symbol: M2M

T_j

125

Internal Connection

T_stg

−55 to +125

°C

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C

Parameter

Reverse current (DC)

Forward voltage (DC)

Symbol

I_R

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

µA

V_R= 30 V

I_F= 1 mA

V_F1

V_F2

C_t

0.3

1.0

I_F= 30 mA

Terminal capacitance

Reverse recovery time ^*

V_R= 1 V, f = 1 MHz

1.5

1.0

t_rr

I_F= I_R= 10 mA

I_rr= 1 mA, R_L= 100 Ω

Detection efficiency

V_in= 3 V_(peak), f = 30 MHz

R_L= 3.9 kΩ, C_L= 10 pF

Note) 1. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body

and the leakage of current from the operating equipment.

ꢀ

2. Rated input/output frequency: 2 GHz

3. : t_rrmeasuring instrument

Bias Application Unit N-50BU

Input Pulse

Output Pulse

t_rr

t_p

t_r

10%

I_F

90%

V_R

I_rr= 1 mA

_p= 2 µs

_F= 10 mA

_R= 10 mA

_L= 100 Ω

t_r= 0.35 ns

δ = 0.05

Pulse Generator

(PG-10N)

Wave Form Analyzer

(SAS-8130)

R_s= 50 Ω

R_i= 50 Ω

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

Publication date: January 2002

SKH00077BED

12 3 4

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与MA717WKTSK相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MA718	PANASONIC	获取价格	Silicon epitaxial planar type
MA7180	PANASONIC	获取价格	Zener Diode, 17.95V V(Z), 6.41%, 0.8W, Silicon, Unidirectional, DO-41, ROHS COMPLIANT, DO-
MA7180-A	PANASONIC	获取价格	Zener Diode, 17.4V V(Z), 3.45%, Silicon, Unidirectional, DO-41, DO-41, 2 PIN
MA7180-B	PANASONIC	获取价格	Zener Diode, 18.4V V(Z), 3.26%, Silicon, Unidirectional, DO-41, DO-41, 2 PIN
MA718H	PANASONIC	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 3 Element, 0.03A, Silicon
MA718TX	PANASONIC	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 3 Element, 0.03A, Silicon
MA71FAA	MTRONPTI	获取价格	14 pin DIP, 5.0 Volt, ACMOS/TTL, Clock Oscillator
MA71FAA030.000	MTRONPTI	获取价格	Oscillator, 30MHz Min, 133MHz Max, 30MHz Nom
MA71FAA133.0000MHZ	MTRONPTI	获取价格	ACMOS/TTL Output Clock Oscillator, 133MHz Nom, DIP-14/4
MA71FAA133.000MHZ	MTRONPTI	获取价格	Oscillator

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