MA30-A

更新时间： 2024-11-01 22:30:27

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		稳定二极管电阻器可变电阻器光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	26K
描述
Silicon epitaxial planer type variable resistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MA30-A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.63	Is Samacsys：	N
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	STABISTOR DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.61 V	正向电压最小值（VF）：	0.56 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
最大功率耗散：	0.1 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

MA30-A 数据手册

Varistors

MA111

Series

MA30

Silicon epitaxial planer type variable resistor

For temperature and reduced voltage compensation

■ Features

Unit : mm

Cathode

Anode

●

S-Mini type package enabling high-density mounting

Extremely small reverse current I_R

Large power dissipation P_D

Wide forward voltage V_Frange

0.4±0.1

1.7±0.1

2.5±0.2

■ Absolute Maximum Ratings (Ta= 25˚C)

Parameter

Symbol

V_R

Rating

Unit

Reverse voltage (DC)

150

1 : Anode

2 : Cathode

S-Mini Type Package (2-pin)

MA30-A/B

Forward current (DC)

I_FM

MA30W-A/B

100

Power dissipation

P_D

T_j

100

˚C

Junction temperature

Storage temperature

125

T_stg

– 55 to +125

˚C

■ Electrical Characteristics (Ta= 25˚C)

Parameter

Symbol

I_R

Condition

min

typ

max

Unit

µA

Reverse current (DC)

V_R= 6V

MA30-A

0.56

0.59

0.77

1.18

1.26

0.61

0.64

I_F=1.5mA

I_F=10µA

I_F= 3mA

Forward voltage (DC)

MA30-B

V_F1

MA30W-A/B

MA30W-A

MA30W-B

MA30-A/B

MA30W-A/B

1.28

1.36

V_F2

I_F=1.5mA

I_F= 3mA

Temperature coefficient

of forward voltage

–∆V_F/ ∆T*

mV/˚C

4.6

Note 1 : Rated input/output frequency : 100MHz

2 : * T_j= 25 to 125˚C

■ Marking

MA30-A

MA30-B

MA30W-A MA30W-B

中文翻译

下载PDF

与MA30-A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MA30B	PANASONIC	获取价格	Stabistor Diode, 0.64V V(FM), Silicon, SMINI2-F1, SC-90A, 2 PIN
MA30-B	PANASONIC	获取价格	Silicon epitaxial planer type variable resistor
MA30KP100AE3TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, P
MA30KP100CAE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 100V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, RO
MA30KP100CAE3TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 100V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PL
MA30KP100CATR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 100V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PL
MA30KP100CE3TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 100V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PL
MA30KP100E3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, R
MA30KP100E3TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, P
MA30KP110AE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 110V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, R

与MA30-A相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

4
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

2
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

23
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

24

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MA30-A

MA30-A 技术参数

MA30-A 数据手册

与MA30-A相关器件

与MA30-A相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MA30-A

MA30-A 技术参数

MA30-A 数据手册

与MA30-A相关器件

与MA30-A相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？