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MA122

更新时间： 2024-01-05 09:03:15
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松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
2页 51K
描述
Silicon epitaxial planar type

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MA122 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.84
配置：2 BANKS, COMMON ANODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.2 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G6元件数量：4
端子数量：6最高工作温度：150 °C
最大输出电流：0.1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
最大功率耗散：0.3 W认证状态：Not Qualified
最大反向恢复时间：0.01 µs表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

MA122 数据手册

 浏览型号MA122的Datasheet PDF文件第2页 
Switching Diodes  
MA6X122  
Silicon epitaxial planar type  
Unit : mm  
2.8 −+ 00..32  
For switching circuit  
0.65 0.15  
1.5 −+ 00..2055  
0.65 0.15  
1
2
6
I Features  
•
Four-element contained in one package, allowing high-density  
5
mounting  
4
3
•
Centrosymmetrical wiring, allowing to free from the taping direc-  
tion  
I Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Reverse voltage (DC)  
Peak reverse voltage  
Average forward current*  
Symbol  
VR  
Rating  
80  
Unit  
V
0.1 to 0.3  
0.4 0.2  
VRM  
IF  
80  
V
1
100  
225  
500  
mA  
mA  
mA  
1 : Cathode 1  
2 : Cathode 2  
3 : Anode 3,4  
4 : Cathode 3  
5 : Cathode 4  
6 : Anode 1,2  
1
Peak forward current*  
IFM  
Mini Type Package (6-pin)  
Non-repetitive peak forward  
IFSM  
1,2  
surge current*  
Marking Symbol: M2A  
Internal Connection  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
1
2
Note)  
*
*
: Value for single diode  
: t = 1 s  
6
5
4
1
2
3
I Electrical Characteristics Ta = 25°C  
Parameter  
Reverse current (DC)  
Forward voltage (DC)  
Reverse voltage (DC)  
Terminal capacitance  
Reverse recovery time*  
Symbol  
IR  
Conditions  
Min  
80  
Typ  
Max  
100  
1.2  
Unit  
nA  
V
VR = 75 V  
VF  
IF = 100 mA  
IR = 100 µA  
VR  
V
Ct  
VR = 0 V, f = 1 MHz  
15  
10  
pF  
ns  
trr  
IF = 10 mA, VR = 6 V  
Irr = 0.1 · IR, RL = 100 Ω  
Note) 1. Rated input/output frequency: 100 MHz  
2. * : trr measuring circuit  
Bias Application Unit N-50BU  
Input Pulse  
tp  
Output Pulse  
trr  
tr  
t
10%  
IF  
t
A
90%  
VR  
Irr = 0.1 · IR  
tp = 2 µs  
tr = 0.35 ns  
δ = 0.05  
IF = 10 mA  
VR = 6 V  
RL = 100 Ω  
Pulse Generator  
(PG-10N)  
Rs = 50 Ω  
W.F.Analyzer  
(SAS-8130)  
Ri = 50 Ω  
1
12

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