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M95010-WMC6G

更新时间： 2024-10-14 14:43:23

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟内存集成电路
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45页	866K
描述
1KX1 SPI BUS SERIAL EEPROM, 2 X 3 MM , HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, UFDFN-8

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M95010-WMC6G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	DFN	包装说明：	2 X 3 MM , HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, UFDFN-8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.72	最大时钟频率 (fCLK)：	10 MHz
长度：	3 mm	内存密度：	1024 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	1
功能数量：	1	字数：	1024 words
字数代码：	1000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	1KX1	封装代码：	HVSON
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
座面最大高度：	0.6 mm	串行总线类型：	SPI
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子节距：	0.5 mm	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	2 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms
Base Number Matches：	1

M95010-WMC6G 数据手册

M950x0-W M950x0-R M950x0-DF

4 Kbit, 2 Kbit and 1 Kbit serial SPI bus EEPROM

with high-speed clock

Datasheet - production data

Features

 Compatible with SPI bus serial interface

(Positive clock SPI modes)

 Single supply voltage:

– 2.5 V to 5.5 V for M950x0-W

– 1.8 V to 5.5 V for M950x0-R

– 1.7 V to 5.5 V for M95040-DF

SO8 (MN)

150 mil width

 High-speed 20 MHz clock rate, 5 ms write time

 Memory array:

– 1/2/4 Kbit (128/256/512 bytes) of EEPROM

– Page size: 16 bytes

– Write protection by block: 1/4, 1/2 or whole

memory

– Additional Write lockable Page

(Identification page)

TSSOP8 (DW)

169 mil width

 Enhanced ESD protection

 More than 4 million write cycles

 More than 200-year data retention

 Packages RoHS-compliant and Halogen-free

(ECOPACK®)

Table 1. Device summary

UFDFPN8 (MC)

2 x 3 mm

Reference

Part number

M95040-W

M950x0-W

M95020-W

M95010-W

M95040-R

M95020-R

M95010-R

M95040-DF

M950x0-R

M950x0-DF

October 2013

DocID6512 Rev 12

1/45

This is information on a product in full production.

www.st.com

12 3 4 5 6 7...45

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M95010-WMN3/W	STMICROELECTRONICS	获取价格	4Kbit, 2Kbit and 1Kbit Serial SPI Bus EEPROM With High Speed Clock
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