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M76DW52003TA70ZT

更新时间： 2024-09-30 11:25:55
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
27页 357K
描述
32Mbit (4Mb x8/ 2Mb x16, Dual Bank, Boot Block) Flash Memory and 4Mbit (256Kb x16) SRAM, Multiple Memory Product

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M76DW52003TA70ZT 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：8 X 11.60 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-73
针数：73Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：5.92
Is Samacsys：N最长访问时间：70 ns
其他特性：STATIC RAM IS ORGANIZED AS 256K X 16; FLASH MEMORY IS ALSO ORGANIZED AS 4M X 8JESD-30 代码：R-PBGA-B73
JESD-609代码：e0长度：11.6 mm
内存密度：33554432 bit内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT
内存宽度：16混合内存类型：FLASH+SRAM
功能数量：1端子数量：73
字数：2097152 words字数代码：2000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：2MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LFBGA
封装等效代码：BGA73,10X12,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3,3/3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.4 mm最大待机电流：0.0001 A
子类别：Other Memory ICs最大压摆率：0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：TIN LEAD端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：8 mm
Base Number Matches：1

M76DW52003TA70ZT 数据手册

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M76DW52003TA  
M76DW52003BA  
32Mbit (4Mb x8/ 2Mb x16, Dual Bank, Boot Block) Flash Memory  
and 4Mbit (256Kb x16) SRAM, Multiple Memory Product  
PRELIMINARY DATA  
FEATURES SUMMARY  
■ MULTIPLE MEMORY PRODUCT  
Figure 1. Package  
– 32 Mbit (4Mb x8 or 2Mb x16), Dual Bank, Boot  
Block, Flash Memory  
– 4 Mbit (256Kb x 16) SRAM  
■ SUPPLY VOLTAGE  
– V  
– V  
– V  
= 2.7V to 3.3V  
CCF  
CCS  
PPF  
= 2.7V to 3.3V  
FBGA  
= 12V for Fast Program (optional)  
■ ACCESS TIME: 70, 90ns  
■ LOW POWER CONSUMPTION  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 0020h  
LFBGA73 (ZA)  
8 x 11.6 mm  
– Top Device Code, M76DW52003TA: 225Eh  
– Bottom Device Code, M76DW52003BA:  
225Fh  
FLASH MEMORY  
■ PROGRAMMING TIME  
– 10µs per Byte/Word typical  
– Double Word/ Quadruple Byte Program  
■ MEMORY BLOCKS  
■ EXTENDED MEMORY BLOCK  
– Extra block used as security block or to store  
additional information  
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
– Dual Bank Memory Array: 8Mbit+24Mbit  
– Parameter Blocks (Top or Bottom Location)  
■ DUAL OPERATIONS  
BLOCK  
SRAM  
■ 4 Mbit (256Kb x 16)  
– Read in one bank while Program or Erase in  
other  
■ ACCESS TIME: 70ns  
■ LOW V  
DATA RETENTION: 1.5V  
■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
CCS  
■ POWER DOWN FEATURES USING TWO  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
CHIP ENABLE INPUTS  
■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND  
– Faster Production/Batch Programming  
■ V /WP PIN for FAST PROGRAM and WRITE  
PP  
PROTECT  
■ TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION  
MODE  
■ COMMON FLASH INTERFACE  
– 64 bit Security Code  
September 2003  
1/27  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.  
1234567...27

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与M76DW52003TA70ZT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M76DW52003TA90Z STMICROELECTRONICS

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 		SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA73, 8 X 11.60 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-73
M76DW52003TA90ZT STMICROELECTRONICS

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 		32Mbit (4Mb x8/ 2Mb x16, Dual Bank, Boot Block) Flash Memory and 4Mbit (256Kb x16) SRAM, M
M76DW52004BA70Z STMICROELECTRONICS

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 		SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA73, 8 X 11.60 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-73
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 		SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA73, 8 X 11.60 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-73
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 		SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA73, 8 X 11.60 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-73
M76DW62000A STMICROELECTRONICS

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 		64Mbit (x8/ x16, Multiple Bank, Boot Block) Flash Memory and 8Mbit/4Mbit SRAM, 3V Supply,
M76DW62000A70Z STMICROELECTRONICS

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 		SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA73, 8 X 11.60 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-73
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 		64Mbit (x8/ x16, Multiple Bank, Boot Block) Flash Memory and 8Mbit/4Mbit SRAM, 3V Supply,

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