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M76DW62000A70Z

更新时间： 2024-09-30 21:13:43
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
27页 404K
描述
SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA73, 8 X 11.60 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-73

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M76DW62000A70Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：LFBGA, BGA73,10X12,32针数：73
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.84最长访问时间：70 ns
其他特性：STATIC RAM IS ORGANIZED AS 512K X 16; FLASH MEMORY IS ALSO ORGANIZED AS 8M X 8JESD-30 代码：R-PBGA-B73
长度：11.6 mm内存密度：67108864 bit
内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT内存宽度：16
混合内存类型：FLASH+SRAM功能数量：1
端子数量：73字数：4194304 words
字数代码：4000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：4MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LFBGA封装等效代码：BGA73,10X12,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
电源：3,3/3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.4 mm最大待机电流：0.0001 A
子类别：Other Memory ICs最大压摆率：0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM宽度：8 mm
Base Number Matches：1

M76DW62000A70Z 数据手册

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M76DW63000A  
M76DW62000A  
64Mbit (x8/ x16, Multiple Bank, Boot Block) Flash Memory and  
8Mbit/4Mbit SRAM, 3V Supply, Multiple Memory Product  
PRELIMINARY DATA  
FEATURES SUMMARY  
■ MULTIPLE MEMORY PRODUCT  
Figure 1. Package  
– 64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16), Multiple Bank,  
Page, Boot Block, Flash Memory  
– SRAM: 8Mbit (512K x 16) for  
M76DW63000A, or 4Mbit (256K x 16) for  
M76DW62000A  
■ SUPPLY VOLTAGE  
FBGA  
– V  
– V  
= V  
= 2.7V to 3.3V  
CCF  
PPF  
CCS  
= 12V for Fast Program (optional)  
■ ACCESS TIME: 70, 90ns  
■ LOW POWER CONSUMPTION  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 0020h  
LFBGA73 (ZA)  
8 x 11.6mm  
– Device Code: 227Eh + 2202h + 2201h  
FLASH MEMORY  
■ ASYNCHRONOUS PAGE READ MODE  
– Page Width: 4 Words  
– Page Access: 25, 30ns  
■ V /WP PIN for FAST PROGRAM and WRITE  
– Random Access: 70, 90ns  
■ PROGRAMMING TIME  
– 10µs per Byte/Word typical  
– 4 Words/ 8 Bytes at-a-time Program  
■ MEMORY BLOCKS  
PP  
PROTECT  
■ TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION  
MODE  
■ COMMON FLASH INTERFACE  
– 64 bit Security Code  
– Quadruple Bank Memory Array:  
8Mbits + 24Mbits + 24Mbits + 8Mbits  
■ EXTENDED MEMORY BLOCK  
– Extra block used as security block or to store  
additional information  
– Parameter Blocks (at both Top and Bottom)  
■ DUAL OPERATIONS  
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
– While Program or Erase in a group of banks  
(from 1 to 3), Read in any of the other banks  
BLOCK  
SRAM  
■ PROGRAM/ERASE SUSPEND and RESUME  
■ 8Mbit (512K x 16) or 4Mbit (256K x 16)  
MODES  
■ ACCESS TIME: 70ns  
– Read from any Block during Program  
Suspend  
■ LOW V  
DATA RETENTION: 1.5V  
CCS  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
■ POWER DOWN FEATURES USING TWO  
CHIP ENABLE INPUTS  
■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND  
– Faster Production/Batch Programming  
September 2003  
1/27  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M76DW62000A70ZT STMICROELECTRONICS

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 		64Mbit (x8/ x16, Multiple Bank, Boot Block) Flash Memory and 8Mbit/4Mbit SRAM, 3V Supply,
M76DW62000A-70ZT STMICROELECTRONICS

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M76DW62000A90ZT STMICROELECTRONICS

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 		SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA73, 8 X 11.60 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-73
M76DW63000A70ZT STMICROELECTRONICS

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 		64Mbit (x8/ x16, Multiple Bank, Boot Block) Flash Memory and 8Mbit/4Mbit SRAM, 3V Supply,
M76DW63000A90Z STMICROELECTRONICS

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 		64Mbit (x8/ x16, Multiple Bank, Boot Block) Flash Memory and 8Mbit/4Mbit SRAM, 3V Supply,

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