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M6MGB166S2BWG-90 PDF预览

M6MGB166S2BWG-90

更新时间： 2024-02-20 21:49:49
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
30页 248K
描述
Memory Circuit, 1MX16, CMOS, PBGA72, 0.80 MM PITCH, CSP-72

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M6MGB166S2BWG-90 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：BGA,针数：72
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.84其他特性：COMBINATION OF 3.3V FLASH MEM & SRAM IN -CSP; ACCESS TIME FOR FLASH MEM IS 90NS & FOR SRAM 85 NS
JESD-30 代码：R-PBGA-B72内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT内存宽度：16
功能数量：1端子数量：72
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-20 °C组织：1MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：BGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY
认证状态：Not Qualified最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：OTHER端子形式：BALL
端子位置：BOTTOMBase Number Matches：1

M6MGB166S2BWG-90 数据手册

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MITSUBISHI LSIs  
M6MGB/T166S2BWG  
16,777,216-BIT (1,048,576 -WORD BY 16-BIT ) CMOS  
3.3V-ONLY FLASH MEMORY &  
2,097,152-BIT (131,072-WORD BY 16-BIT) CMOS SRAM  
Stacked-CSP (Chip Scale Package)  
DESCRIPTION  
FEATURES  
• Access time  
The MITSUBISHI M6MGB/T166S2BWG is a Stacked Chip  
Scale Package (S-CSP) that contents 16M-bits flash  
memory and 2M-bits Static RAM in a 72-pin S-CSP.  
Flash Memory  
SRAM  
90ns (Max.)  
85ns (Max.)  
• Supply voltage  
• Ambient temperature  
I version  
Vcc=2.7 ~ 3.6V  
16M-bits Flash memory is a 1,048,576 words, 3.3V-only,  
and high performance non-volatile memory fabricated by  
CMOS technology for the peripheral circuit and  
DINOR(DIvided bit-line NOR) architecture for the memory  
cell.  
Ta=-40 ~ 85°C  
• Package : 72-pin S-CSP , 0.8mm ball pitch  
2M-bits SRAM is a 131,072words unsynchronous SRAM  
fabricated by silicon-gate CMOS technology.  
APPLICATION  
Mobile communication products  
M6MGB/T166S2BWG is suitable for the application of the  
mobile-communication-system to reduce both the mount  
space and weight .  
PIN CONFIGURATION (TOP VIEW)  
INDEX (Laser Marking)  
1
2
3
4
5
6
7
8
NC  
NC  
A
B
C
D
E
F
NC  
DU  
A5  
A4  
A0  
NC  
NC  
F-VCC  
S-VCC  
F-GND  
GND  
:Vcc for Flash  
:Vcc for SRAM  
F-A18 S-LB#  
F-A17 S-UB#  
A7 S-OE#  
GND F-WE#  
A16  
F-WP#  
:GND for Flash  
F-  
F-RP# RY/BY#  
:Flash/SRAM common GND  
NC  
A8 A11  
A10 A15  
A9 A14  
A0-A16  
:Flash/SRAM  
common Address  
F-A19  
DU DU  
DU NC  
:Address for Flash  
F-A17-F-A19  
DQ0-DQ15  
DQ11  
DU  
A6  
A3  
:Flash/SRAM  
common Data I/O  
A13  
G F-CE#  
DQ12  
DQ13  
DQ15  
DQ9 DU  
F-CE#  
S-CE1#  
S-CE2  
F-OE#  
S-OE#  
F-WE#  
S-WE#  
F-WP#  
F-RP#  
:Flash Chip Enable  
:SRAM Chip Enable 1  
:SRAM Chip Enable 2  
S-  
A2 DQ8  
DQ6  
A12  
F-GND  
DQ10  
S-WE#  
H
CE2  
F-OE#  
S-VCC  
F-VCC  
DQ14  
A1 DQ0 DQ2  
DQ4  
F-GND  
I
:Flash Output Enable  
:SRAM Output Enable  
S-  
CE1#  
DU  
J
DU  
NC  
NC  
DQ1 DQ3  
DQ5 DQ7  
:Flash Write Enable  
:SRAM Write Enable  
:Flash Write Protect  
:Flash Reset Power Down  
:Flash Ready /Busy  
:SRAM Lower Byte  
:SRAM Upper Byte  
NC  
K
NC  
L
F-RY/BY#  
S-LB#  
S-UB#  
8.0 mm  
NC:Non Connection  
DU:Don't Use (Note: Should be open)  
1
Nov 1999 , Rev.2.3  
1234567...30

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与M6MGB166S2BWG-90相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M6MGB166S4BWG MITSUBISHI

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 		CMOS 3.3V-ONLY FLASH MEMORY & CMOS SRAM Stacked-CSP
M6MGB166S4BWG-85 MITSUBISHI

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 		Memory Circuit, 1MX16, CMOS, PBGA72, 0.80 MM PITCH, CSP-72
M6MGB166S4BWG-90 MITSUBISHI

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 		Memory Circuit, 1MX16, CMOS, PBGA72, 0.80 MM PITCH, CSP-72
M6MGB331S4BKT RENESAS

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