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M68AW511AL55NC6T

更新时间: 2024-09-18 22:05:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 静态存储器
页数 文件大小 规格书
18页 134K
描述
4 Mbit (512K x8) 3.0V Asynchronous SRAM

M68AW511AL55NC6T 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:PLASTIC, TSOP2-32
针数:32Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.91最长访问时间:55 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e0长度:20.95 mm
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:512KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSOP32,.46封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3/3.3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大待机电流:0.000009 A最小待机电流:1.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.03 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.16 mm

M68AW511AL55NC6T 数据手册

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M68AW511A  
4 Mbit (512K x8) 3.0V Asynchronous SRAM  
FEATURES SUMMARY  
SUPPLY VOLTAGE: 2.7 to 3.6V  
Figure 1. Packages  
512K x 8 bits SRAM with OUTPUT ENABLE  
EQUAL CYCLE and ACCESS TIMES: 55ns  
LOW STANDBY CURRENT  
32  
LOW V  
DATA RETENTION: 1.5V  
CC  
1
TRI-STATE COMMON I/O  
TSOP32 Type II (NC)  
LOW ACTIVE and STANDBY POWER  
SO32 (MC)  
June 2003  
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