是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP, DIP24,.3 |
针数: | 24 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.71 |
风险等级: | 5.72 | 最长访问时间: | 40 ns |
其他特性: | LINE MEMORY | 周期时间: | 50 ns |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T24 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 29.6 mm | 内存密度: | 9216 bit |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 24 | 字数: | 1152 words |
字数代码: | 1152 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | -20 °C |
组织: | 1152X8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | NO | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP24,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 4.75 mm |
子类别: | Other Memory ICs | 最大压摆率: | 0.1 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 7.62 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
M66-253 | MICRO-ELECTRONICS |
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Tone/Music Synthesizer, PBCY3, TO-92 | |
M66253FP | MITSUBISHI |
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FIFO, 10KX8, 30ns, Synchronous, CMOS, PDSO36 | |
M66-254 | MICRO-ELECTRONICS |
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Tone/Music Synthesizer, PBCY3, TO-92 | |
M66-255 | MICRO-ELECTRONICS |
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暂无描述 | |
M66255FP | MITSUBISHI |
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8192 x 10-BIT LINE MEMORY (FIFO) | |
M66255FP | RENESAS |
获取价格 |
8192 × 10-Bit Line Memory (FIFO) | |
M66256 | MITSUBISHI |
获取价格 |
5120 x 8-BIT LINE MEMORY (FIFO) | |
M66-256 | MICRO-ELECTRONICS |
获取价格 |
Tone/Music Synthesizer, PBCY3, TO-92 | |
M66256FP | MITSUBISHI |
获取价格 |
5120 x 8-BIT LINE MEMORY (FIFO) | |
M66256FP | RENESAS |
获取价格 |
5120 × 8-Bit Line Memory (FIFO) |