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M628128-25E1

更新时间: 2024-11-13 14:52:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 206K
描述
128KX8 STANDARD SRAM, 25ns, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32

M628128-25E1 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOJ
包装说明:0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32针数:32
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.92
Is Samacsys:N最长访问时间:25 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-J32
JESD-609代码:e0内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装等效代码:SOJ32,.34
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.001 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.16 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

M628128-25E1 数据手册

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