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M5M5408P-10L

更新时间: 2024-11-29 14:52:59
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 224K
描述
Standard SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32

M5M5408P-10L 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:DIP, DIP32,.6
针数:32Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.86Is Samacsys:N
最长访问时间:100 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDIP-T32JESD-609代码:e0
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:32
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:512KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP32,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.00005 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.07 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

M5M5408P-10L 数据手册

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