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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP28,.3 | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.71 |
| 最长访问时间： | 35 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T28 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 32KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP28,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.01 A |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.12 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M5M5278P-35L | RENESAS |
获取价格 |
STANDARD SRAM |
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| M5M5278PJ-20 | RENESAS |
获取价格 |
STANDARD SRAM |
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| M5M5278VP-20V | MITSUBISHI |
获取价格 |
262144-BIT (32768-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM |
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| M5M5279-25 | MITSUBISHI |
获取价格 |
294912-BIT (32768-WORD BY 9-BIT) CMOS STATIC RAM |
|
| M5M5279-25L | MITSUBISHI |
获取价格 |
294912-BIT (32768-WORD BY 9-BIT) CMOS STATIC RAM |
|
| M5M5279-35 | MITSUBISHI |
获取价格 |
294912-BIT (32768-WORD BY 9-BIT) CMOS STATIC RAM |
|
| M5M5279-35L | MITSUBISHI |
获取价格 |
294912-BIT (32768-WORD BY 9-BIT) CMOS STATIC RAM |
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| M5M5279J-15T | MITSUBISHI |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX9, 15ns, CMOS, PDSO32, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32 |
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| M5M5279J-20 | MITSUBISHI |
获取价格 |
294912-BIT (32768-WORD BY 9-BIT) CMOS STATIC RAM |
|
| M5M5279J-20T | MITSUBISHI |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX9, 20ns, CMOS, PDSO32, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32 |
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