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M5M5279P-35

更新时间: 2024-01-22 19:28:36
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
5页 369K
描述
Standard SRAM, 32KX9, 35ns, CMOS, PDIP32, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-32

M5M5279P-35 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP32,.3针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.92
最长访问时间:35 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDIP-T32JESD-609代码:e0
内存密度:294912 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:9功能数量:1
端口数量:1端子数量:32
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32KX9
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP32,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.01 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.12 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

M5M5279P-35 数据手册

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