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M5M5256DVP-85VLLT

更新时间： 2024-02-05 14:58:51

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
7页	65K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 85ns, MIXMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, TSOP1-28

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M5M5256DVP-85VLLT 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	SOP,	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.75
最长访问时间：	85 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-G28
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	28
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32KX8
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
最小待机电流：	2 V	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	MIXMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

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'97.4.7

MITSUBISHI LSIs

M5M5256DFP,VP,RV -70VLL,-85VLL,

-70VXL,-85VXL

262144-BIT (32768-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM

POWER DOWN CHARACTERISTICS

(1) ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 0~70°C, Vcc=3.3±0.3V, unless otherwise noted)

Limits

Typ Max

Symbol

Vcc (PD)

VI (/S)

Parameter

Power down supply voltage

Chip select input /S

Test conditions

Unit

Min

-VLL

-VXL

Vcc = 3V,/S³ Vcc-0.2V,

Other inputs=0~Vcc

(Note 7)

Icc (PD)

Power down supply current

0.05

(Note 8)

Note7: ICC (PD) = 1uA in case of Ta = 25°C

Note8: ICC (PD) = 0.2uA in case of Ta = 25°C

(2) TIMING REQUIREMENTS (Ta = 0~70°C, Vcc=3.3±0.3V, unless otherwise noted )

Limits

Min Typ Max

Symbol

Unit

Parameter

Test conditions

tsu (PD)

trec (PD)

Power down set up time

Power down recovery time

tCR

(3) POWER DOWN CHARACTERISTICS

/S control mode

Vcc

3.0V

tsu (PD)

trec (PD)

2.0V

/S³ Vcc-0.2V

MITSUBISHI

ELECTRIC

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