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M5M5256DVP-85VLLT

更新时间： 2024-01-19 05:06:56
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 65K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 85ns, MIXMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, TSOP1-28

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M5M5256DVP-85VLLT 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：SOP,针数：28
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.75
最长访问时间：85 nsJESD-30 代码：R-PDSO-G28
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8功能数量：1
端口数量：1端子数量：28
字数：32768 words字数代码：32000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：32KX8
输出特性：3-STATE可输出：YES
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL认证状态：Not Qualified
最小待机电流：2 V最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：MIXMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：GULL WING
端子位置：DUALBase Number Matches：1

M5M5256DVP-85VLLT 数据手册

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'97.4.7  
MITSUBISHI LSIs  
M5M5256DFP,VP,RV -70VLL,-85VLL,  
-70VXL,-85VXL  
262144-BIT (32768-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM  
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 0~70°C, Vcc=3.3±0.3V, unless otherwise noted )  
(1) MEASUREMENT CONDITIONS  
Input pulse level··················I·HV=2.2V,VIL=0.4V  
Input rise and fall time··········5ns  
Reference level···················O·VH=VOL=1.5V  
DQ  
Output loads·························Fig.1,CL=30pF (-70VLL,-70VXL )  
CL=50pF (-85VLL,-85VXL )  
CL  
(Including  
scope and JIG)  
CL=5pF (for ten,tdis)  
Transition is measured ±500mV from steady  
state voltage. (for ten,tdis)  
Fig.1 Output load  
(2) READ CYCLE  
Limits  
Unit  
Symbol  
Parameter  
Read cycle time  
-70VLL, VXL -85VLL, VXL  
Min Max Min Max  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
tCR  
70  
85  
ta(A)  
ta(S)  
ta(OE)  
tdis(S)  
Address access time  
70  
70  
35  
25  
25  
85  
85  
45  
25  
25  
Chip select access time  
Output enable access time  
Output disable time after /S high  
tdis(OE) Output disable time after /OE high  
ten(S)  
Output enable time after /S low  
ten(OE) Output enable time after /OE low  
5
5
10  
10  
10  
10  
tV(A)  
Data valid time after address  
(3) WRITE CYCLE  
Limits  
-70VLL, VXL -85VLL, VXL  
Min Max Min Max  
Symbol  
Parameter  
Unit  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
tCW  
tw(W)  
tsu(A)  
tsu(A-WH)  
tsu(S)  
tsu(D)  
th(D)  
trec(W)  
tdis(W)  
tdis(OE)  
ten(W)  
ten(OE)  
70  
55  
0
85  
60  
0
Write cycle time  
Write pulse width  
Address setup time  
Address setup time with respect to /W high  
Chip select setup time  
Data setup time  
Data hold time  
Write recovery time  
Output disable time from /W low  
Output disable time from /OE high  
Output enable time from /W high  
Output enable time from /OE low  
65  
65  
30  
0
70  
70  
35  
0
0
0
25  
25  
25  
25  
5
5
10  
10  
MITSUBISHI  
ELECTRIC  
4
1234567

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M5M5256DVP-85VXL MITSUBISHI 262144-BIT (32768-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM

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