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M5M5256DVP-85VLL

更新时间： 2024-01-19 08:24:44
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 65K
描述
262144-BIT (32768-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM

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M5M5256DVP-85VLL 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：SOP,针数：28
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.75
最长访问时间：85 nsJESD-30 代码：R-PDSO-G28
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8功能数量：1
端口数量：1端子数量：28
字数：32768 words字数代码：32000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：32KX8
输出特性：3-STATE可输出：YES
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL认证状态：Not Qualified
最小待机电流：2 V最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：MIXMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：GULL WING
端子位置：DUALBase Number Matches：1

M5M5256DVP-85VLL 数据手册

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'97.4.7  
MITSUBISHI LSIs  
M5M5256DFP,VP,RV -70VLL,-85VLL,  
-70VXL,-85VXL  
262144-BIT (32768-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Vcc  
Parameter  
Supply voltage  
Conditions  
Ratings  
-0.3*~4.6  
Unit  
V
-0.3*~Vcc+0.3  
VI  
Input voltage  
V
V
mW  
°C  
With respect to GND  
Ta=25°C  
(Max 4.6)  
Output voltage  
VO  
Pd  
Topr  
Tstg  
0~Vcc  
700  
0~70  
Power dissipation  
Operating temperature  
Storage temperature  
°C  
-65~150  
* -3.0V in case of AC ( Pulse width £ 30ns )  
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=0~70°C, Vcc=3.3±0.3V, unless otherwise noted)  
Limits  
Symbol  
Parameter  
Test conditions  
Unit  
V
Min Typ  
2.0  
Max  
Vcc  
+0.3  
VIH  
High-level input voltage  
VIL  
Low-level input voltage  
-0.3*  
2.4  
0.6  
V
V
VOH1  
High-level output voltage 1 IOH=-0.5mA  
Vcc  
-0.5  
VOH2  
High-level output voltage 2 IOH=-0.05mA  
V
VOL  
II  
Low-level output voltage  
Input current  
IOL=1mA  
0.4  
±1  
V
VI=0~Vcc  
uA  
/S=VIH or or /OE=VIH,  
VI/O=0~Vcc  
IO  
Output current in off-state  
±1  
25  
uA  
Min.  
/S£0.2V,  
Other inputs<0.2V or >Vcc-0.2V  
Output-open Min. cycle  
13  
cycle  
Active supply current  
(AC, MOS level )  
Icc1  
mA  
1MHz  
1.5  
14  
3
Min.  
cycle  
/S=VIL,  
other inputs=VIH or VIL  
Output-open Min. cycle  
25  
Active supply current  
(AC, TTL level )  
mA  
Icc2  
1MHz  
1.5  
3
12  
-VLL  
-VXL  
/S³ Vcc-0.2V,  
other inputs=0~Vcc  
Icc3  
Icc4  
Stand-by current  
Stand-by current  
uA  
0.05  
2.4  
mA  
/S=VIH,other inputs=0~Vcc  
0.33  
* -3.0V in case of AC ( Pulse width £ 30ns )  
CAPACITANCE (Ta=0~70°C, Vcc=3.3±0.3V, unless otherwise noted)  
Limits  
Min Typ Max  
Unit  
Symbol  
Parameter  
Input capacitance  
Output capacitance  
Test conditions  
VI=GND, VI=25mVrms, f=1MHz  
VO=GND,VO=25mVrms, f=1MHz  
pF  
pF  
CI  
CO  
6
8
Note 0: Direction for current flowing into an IC is positive (no mark).  
1: Typical value is one at Ta = 25°C.  
2: CI, CO are periodically sampled and are not 100% tested.  
MITSUBISHI  
ELECTRIC  
3
1234567

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与M5M5256DVP-85VLL相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
M5M5256DVP-85VLL-I MITSUBISHI 262144-BIT (32768-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM

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M5M5256DVP-85VLLT MITSUBISHI Standard SRAM, 32KX8, 85ns, MIXMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, TSOP1-28

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M5M5256DVP-85VXL MITSUBISHI 262144-BIT (32768-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM

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