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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TSOP |
| 包装说明： | TSSOP, TSSOP32,.8,20 | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.3 |
| 最长访问时间： | 70 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 18.4 mm | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 128KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSSOP | 封装等效代码： | TSSOP32,.8,20 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.07 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 8 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M5M51008DVP-70HI | MITSUBISHI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| M5M51008DVP-70HI | RENESAS |
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128KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP-32 |
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| M5M51008DVP-70HIBT | RENESAS |
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SRAM Chip Async Single 5V 1M-Bit 128K x 8 70ns 32-Pin TSOP-I |
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| M5M51008DVP-70HIST | RENESAS |
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128KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO32, 8 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, TSOP-32 |
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| M5M51008FP-10L | MITSUBISHI |
获取价格 |
1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAM |
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| M5M51008FP-10L-I | MITSUBISHI |
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Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32 |
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| M5M51008FP-10LL | MITSUBISHI |
获取价格 |
1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAM |
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| M5M51008FP-10LL-W | MITSUBISHI |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, SOP-32 |
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| M5M51008FP-10L-W | MITSUBISHI |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, SOP-32 |
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| M5M51008FP-12LL-I | MITSUBISHI |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 120ns, CMOS, PDSO32 |
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