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M5M4V16409ATP-15

更新时间: 2024-11-27 06:41:19
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 动态存储器静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
66页 2874K
描述
Cache DRAM, 4MX4, 80ns, CMOS, PDSO62, 0.400 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-62

M5M4V16409ATP-15 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:SOP, TSOP62(UNSPEC)针数:62
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.92
访问模式:PAGE最长访问时间:80 ns
其他特性:AUTO REFRESH; 4096 X 4 SRAMI/O 类型:COMMON/SEPARATE
JESD-30 代码:R-PDSO-G62JESD-609代码:e0
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:CACHE DRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:62
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4MX4
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:TSOP62(UNSPEC)
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
子类别:DRAMs最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

M5M4V16409ATP-15 数据手册

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