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M5M4V16G50DFP-8

更新时间： 2024-11-25 22:07:15

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		内存集成电路动态存储器时钟
页数	文件大小	规格书
33页	168K
描述
16M (2-BANK x 262144-WORD x 32-BIT) Synchronous Graphics RAM

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M5M4V16G50DFP-8 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFP	包装说明：	TQFP, QFP100,.7X.9
针数：	100	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST	最长访问时间：	8 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	125 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	4,8
JESD-30 代码：	R-PQFP-G100	JESD-609代码：	e0
长度：	20 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS GRAPHICS RAM	内存宽度：	32
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	100	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512KX32	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TQFP
封装等效代码：	QFP100,.7X.9	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	2048	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
子类别：	DRAMs	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

M5M4V16G50DFP-8 数据手册

MITSUBISHI LSIs

SGRAM (Rev. 0.0)

M5M4V16G50DFP -8, -10, -12

Jan'97 Preliminary

16M (2-BANK x 262144-WORD x 32-BIT) Synchronous Graphics RAM

PRELIMINARY

Some of contents are described for general products

and are subject to change without notice.

DESCRIPTION

The M5M4V16G50DFP is a 2-bank x 262,144-word x 32-bit Synchronous GRAM,

with LVTTL interface. All inputs and outputs are referenced to the rising edge of

CLK. The M5M4V16G50DFP can operate at frequencies of 100+ MHz. The

BLOCK WRITE and WRITE-PER-BIT functions provide improved performance

in graphic memory systems.

FEATURES

- Single 3.3v±0.3v power supply

- Clock frequencies of 125 MHz

- Fully synchronous operation referenced to clock rising edge

- Dual bank operation controlled by A10(Bank Address)

- Internal pipelined operation: column address can be changed every clock cycle

- Programmable /CAS Latency (LVTTL: 2 and 3)

- Programmable Burst Length (1/2/4/8 and Full Page)

- Programmable Burst Type (Sequential / Interleave)

- Byte control using DQM0 - DQM3 signals in both read and write cycles

- Persistent Write-Per-Bit (WPB) function

- 8 Column Block Write (BW) function

- Auto Precharge / All bank precharge controlled by A9

- Auto Refresh and Self Refresh Capability

- 2048 refresh cycles /32ms

- LVTTL Interface

- 100 pin QFP package with 0.65mm lead pitch

Max.

Frequency

CLK Access

Time

M5M4V16G50DFP - 8

M5M4V16G50DFP- 10

M5M4V16G50DFP- 12

125MHz

100MHz

83MHz

7ns

8ns

10ns

MITSUBISHI ELECTRIC

12 3 4 5 6 7...33

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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M5M4V16S20CTP-12	MITSUBISHI	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX4, 8ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44
M5M4V16S20CTP-15	MITSUBISHI	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX4, 9ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44
M5M4V16S30CTP-15	MITSUBISHI	获取价格	Synchronous DRAM, 2MX8, 9ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44
M5M4V17400BJ-8T	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX4, 80ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24
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M5M4V17400BRT-6ST	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24
M5M4V17400BRT-6T	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24
M5M4V17400BTP-8ST	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX4, 80ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24
M5M4V17400BTP-8T	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX4, 80ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24

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