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M5M4V16165BTP-6S

更新时间： 2024-01-25 06:03:54

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
30页	909K
描述
EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44

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M5M4V16165BTP-6S 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2, TSOP44/50,.46,32	针数：	50
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.4
Is Samacsys：	N	访问模式：	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：	60 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
JESD-609代码：	e0	长度：	20.95 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	44
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP44/50,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
最大待机电流：	0.00015 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.13 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
M5M4V16165BTP-6ST	MITSUBISHI	EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44	获取价格
M5M4V16165BTP-6T	MITSUBISHI	EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44	获取价格
M5M4V16165CJ-7S	MITSUBISHI	EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-42	获取价格
M5M4V16165CTP-5ST	MITSUBISHI	EDO DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-50/44	获取价格
M5M4V16165CTP-6	MITSUBISHI	EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-50/44	获取价格
M5M4V16165CTP-6S	MITSUBISHI	EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-50/44	获取价格