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M5M4V16169TP-12T

更新时间: 2024-11-26 20:07:35
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
52页 1921K
描述
Cache DRAM, 1MX16, CMOS, PDSO68, 0.400 INCH, 0.65 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-70/68

M5M4V16169TP-12T 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2,针数:70/68
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:PAGE其他特性:AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码:R-PDSO-G68长度:23.49 mm
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:CACHE DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:68
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

M5M4V16169TP-12T 数据手册

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