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M5M44405CTP-6S PDF预览

M5M44405CTP-6S

更新时间： 2024-02-05 05:52:08
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
27页 246K
描述
EDO ( HYPER PAGE MODE ) 4194304-BIT ( 1048576-WORD BY 4-BIT ) DYNAMIC RAM

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M5M44405CTP-6S 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：TSOP2, TSOP20/26,.36针数：20
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.02风险等级：5.92
Is Samacsys：N访问模式：FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：60 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G20
JESD-609代码：e0长度：17.14 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：EDO DRAM
内存宽度：4功能数量：1
端口数量：1端子数量：20
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：1MX4
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP20/26,.36
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：1024
座面最大高度：1.2 mm自我刷新：YES
最大待机电流：0.0001 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.115 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：7.62 mmBase Number Matches：1

M5M44405CTP-6S 数据手册

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MITSUBISHI LSIs
M5M44405CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S  
EDO(HYPERPAGEMODE)4194304-BIT(1048576-WORDBY4-BIT)DYNAMICRAM
DESCRIPTION  
PIN CONFIGURATION (TOP VIEW)  
This is a family of 1048576-word by 4-bit dynamic RAMs, fabricated  
with the high performance CMOS process,and is ideal for large-  
capacity memory systems where high speed, low power dissipation,  
and low costs are essential.  
DQ1  
DQ2  
W
1
2
3
4
5
26 VSS  
25 DQ4  
24 DQ3  
23 CAS  
22 OE  
The use of quadruple-layer polysilicon process combined with  
silicide technology and a single-transistor dynamic storage stacked  
capacitor cell provide high circuit density at reduced costs.  
Multiplexed address inputs permit both a reduction in pins and an  
increase in system densities.  
RAS  
A9  
Self or extended refresh current is low enough for battery back-up  
application.  
FEATURES  
A0  
9
18 A8  
17 A7  
16 A6  
15 A5  
14 A4  
RAS  
access  
time  
CAS  
access  
time  
Address  
access  
time  
OE  
access  
time  
Cycle  
time  
Power  
dissipa-  
tion  
A1 10  
A2 11  
Type name  
(max.ns) (max.ns) (max.ns) (max.ns) (min.ns) (typ.mW)  
A3 12  
M5M44405CXX-5,-5S  
M5M44405CXX-6,-6S  
M5M44405CXX-7,-7S  
50  
60  
70  
13  
15  
20  
25  
30  
35  
13  
15  
20  
90  
110  
130  
500  
400  
350  
VCC 13  
XX=J,TP  
Outline 26P0J (300mil SOJ)  
Standard 26 pin SOJ, 26 pin TSOP(II)  
Single 5V±10%supply  
DQ1  
DQ2  
W
1
2
3
4
5
26 VSS  
25 DQ4  
24 DQ3  
23 CAS  
22 OE  
Low stand-by power dissipation  
CMOS lnput level  
5.5mW (Max) *  
550µW (Max)  
CMOS lnput level  
RAS  
A9  
Low operating power dissipation  
M5M44405Cxx-5,-5S  
687.5mW (Max)  
550.0mW (Max)  
467.5mW (Max)  
M5M44405Cxx-6,-6S  
M5M44405Cxx-7,-7S  
Self refresh capabiility *  
Self refresh current  
120µA(max)  
120µA(max)  
A0  
9
18 A8  
17 A7  
16 A6  
15 A5  
14 A4  
Extended refresh capability *  
Extended refresh current  
A1 10  
A2 11  
Hyper-page mode (1024-bit random access), Read-modify- write,  
RAS-only refresh CAS before RAS refresh, Hidden refresh, CBR  
self refresh(-5S,-6S,-7S) capabilities  
A3 12  
VCC 13  
Early-write mode and OE and W to control output buffer impedance  
All inputs, output TTL compatible and low capacitance  
1024 refresh cycles every 16.4ms (A0~A9)  
Outline 26P3Z-E (300mil TSOP)  
1024refresh cycle every 128ms (A0~A9) *  
4-bit parallel test mode capability  
* : Applicable to self refresh version (M5M44405CJ,TP-5S,-6S,-7S  
: option) only  
APPLICATION  
Main memory unit for computers, Microcomputer memory, Refresh  
memory for CRT, Frame Buffer memory for CRT  
PIN DESCRIPTION  
Pin name  
A0~A9  
Function  
Address Inputs  
DQ1~DQ4  
Data Inputs / Outputs  
Row Address Strobe Input  
Column Address Strobe Input  
RAS  
CAS  
W
Write Control Input  
Output Enable Input  
Power Supply (+5V)  
Ground (0V)  
OE  
Vcc  
Vss  
1
M5M44405CJ,TP-5,-5S:Under development  
1234567...27

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与M5M44405CTP-6S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M5M44405CTP-7 MITSUBISHI

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 		EDO ( HYPER PAGE MODE ) 4194304-BIT ( 1048576-WORD BY 4-BIT ) DYNAMIC RAM
M5M44405CTP-7S MITSUBISHI

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 		EDO ( HYPER PAGE MODE ) 4194304-BIT ( 1048576-WORD BY 4-BIT ) DYNAMIC RAM
M5M44410AJ-10LT MITSUBISHI

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 		Fast Page DRAM, 1MX4, 100ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
M5M44410AL-7L MITSUBISHI

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 		Fast Page DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PZIP20, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-20
M5M44410AL-8 MITSUBISHI

获取价格

 		Fast Page DRAM, 1MX4, 80ns, CMOS, PZIP20, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-20
M5M44410ART-10LT MITSUBISHI

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 		Fast Page DRAM, 1MX4, 100ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20
M5M44410ART-6T MITSUBISHI

获取价格

 		Fast Page DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20
M5M44410ART-8T MITSUBISHI

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 		Fast Page DRAM, 1MX4, 80ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20
M5M44410ATP-6T MITSUBISHI

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 		Fast Page DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20
M5M44410ATP-7T MITSUBISHI

获取价格

 		Fast Page DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20

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