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M5M44266BJ-10T

更新时间: 2024-11-07 20:08:15
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
17页 806K
描述
Fast Page DRAM, 256KX4, 100ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20

M5M44266BJ-10T 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOJ
包装说明:SOJ,针数:20
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.56
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:100 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-J20
长度:17.15 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:4
功能数量:1端口数量:1
端子数量:20字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256KX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
认证状态:Not Qualified刷新周期:512
座面最大高度:3.55 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

M5M44266BJ-10T 数据手册

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