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M5M28F101P-10

更新时间： 2024-01-09 05:57:19

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	268K
描述
Flash, 128KX8, 100ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32

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M5M28F101P-10 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP32,.6
针数：	32	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.89	最长访问时间：	100 ns
其他特性：	SOFTWARE CONTROLLED PROGRAM/ERASE; 10K ERASE/PROGRAM CYCLES	命令用户界面：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PDIP-T32
JESD-609代码：	e0	长度：	40.6 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	128KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP32,.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
编程电压：	12 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.1 mm	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	NO
类型：	NOR TYPE	宽度：	15.24 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
M5M28F101RV-12	MITSUBISHI	Flash, 128KX8, 120ns, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-32	获取价格
M5M28F101VP-10	MITSUBISHI	Flash, 128KX8, 100ns, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-32	获取价格
M5M28F101VP-15	MITSUBISHI	Flash, 128KX8, 150ns, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-32	获取价格
M5M28F101VP-15I	MITSUBISHI	Flash, 128KX8, 150ns, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-32	获取价格
M5M28F102AFP-10	MITSUBISHI	64KX16 FLASH 12V PROM, 100ns, PDSO40, 0.525 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOP-40	获取价格
M5M28F102AJ-10	MITSUBISHI	64KX16 FLASH 12V PROM, 100ns, PQCC44, 0.650 X 0.650 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, MO-047AC	获取价格