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M5M28F102P-12

更新时间: 2024-11-11 20:10:55
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 348K
描述
Flash, 64KX16, 120ns, PDIP40, PLASTIC, DIP-40

M5M28F102P-12 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:DIP, DIP40,.6
针数:40Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.91最长访问时间:120 ns
其他特性:SOFTWARE CONTROLLED PROGRAM/ERASE命令用户界面:YES
数据轮询:NOJESD-30 代码:R-PDIP-T40
JESD-609代码:e0长度:51.5 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:16功能数量:1
端子数量:40字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:64KX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP40,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V编程电压:12 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:5.5 mm
最大待机电流:0.0001 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.05 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
切换位:NO类型:NOR TYPE
宽度:15.24 mmBase Number Matches:1

M5M28F102P-12 数据手册

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