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M59DR008F120N1 PDF预览

M59DR008F120N1

更新时间： 2024-09-25 20:33:15
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 光电二极管内存集成电路闪存
页数 文件大小 规格书
38页 270K
描述
Flash, 512KX16, 120ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48

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M59DR008F120N1 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48针数：48
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.29
最长访问时间：120 ns启动块：BOTTOM
JESD-30 代码：R-PDSO-G48长度：18.4 mm
内存密度：8388608 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：48字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：512KX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
编程电压：1.8 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：2.2 V
最小供电电压 (Vsup)：1.65 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
类型：NOR TYPE宽度：12 mm
Base Number Matches：1

M59DR008F120N1 数据手册

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M59DR008E  
M59DR008F  
8 Mbit (512Kb x16, Dual Bank, Page)  
1.8V Supply Flash Memory  
■ SUPPLY VOLTAGE  
– V = V = 1.65V to 2.2V for Program,  
DD  
DDQ  
Erase and Read  
– V = 12V for fast Program (optional)  
PP  
■ ASYNCHRONOUS PAGE MODE READ  
– Page Width: 4 words  
BGA  
– Page Access: 35ns  
– Random Access: 100ns  
TSOP48 (N)  
12 x 20mm  
TFBGA48 (ZB)  
8 x 6 balls array  
■ PROGRAMMING TIME  
– 10µs by Word typical  
– Double Word Programming Option  
■ MEMORY BLOCKS  
– Dual Bank Memory Array: 4 Mbit - 4 Mbit  
– Parameter Blocks (Top or Bottom location)  
■ DUAL BANK OPERATIONS  
Figure 1. Logic Diagram  
– Read within one Bank while Program or  
Erase within the other  
– No delay between Read and Write operations  
■ BLOCK PROTECTION/UNPROTECTION  
– All Blocks protected at Power Up  
V
V
V
DD DDQ PP  
19  
16  
– Any combination of Blocks can be protected  
■ COMMON FLASH INTERFACE (CFI)  
■ 64 bit SECURITY CODE  
A0-A18  
DQ0-DQ15  
W
E
■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
M59DR008E  
M59DR008F  
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
G
BLOCK  
RP  
WP  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 20h  
– Top Device Code, M59DR008E: A2h  
– Bottom Device Code, M59DR008F: A3h  
V
SS  
AI03212  
March 2001  
1/38  
1234567...38

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与M59DR008F120N1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M59DR008F120N1T STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
M59DR008F120N1T NUMONYX

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 		Flash, 512KX16, 120ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M59DR008F120N6 STMICROELECTRONICS

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 		512KX16 FLASH 1.8V PROM, 120ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M59DR008F120N6 NUMONYX

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 		512KX16 FLASH 1.8V PROM, 120ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M59DR008F120N6T STMICROELECTRONICS

获取价格

 		8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
M59DR008F120ZB1T STMICROELECTRONICS

获取价格

 		8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
M59DR008F120ZB1T NUMONYX

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 		Flash, 512KX16, 120ns, PBGA48, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48
M59DR008F120ZB6 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		512KX16 FLASH 1.8V PROM, 120ns, PBGA48, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48
M59DR008F120ZB6 NUMONYX

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 		Flash, 512KX16, 120ns, PBGA48, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48
M59DR008F120ZB6T STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory

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