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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIMM |
| 包装说明： | DIMM, | 针数： | 200 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.36 | 风险等级： | 5.84 |
| 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 0.75 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | JESD-30 代码： | R-XDMA-N200 |
| 内存密度： | 1207959552 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM MODULE |
| 内存宽度： | 72 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 200 |
| 字数： | 16777216 words | 字数代码： | 16000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 16MX72 | |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | DIMM |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 自我刷新： | YES | 最大供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M485L1624FU0-LB3 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 16MX72, 0.7ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-200 |
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| M485L2829BT0-CA2 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 128MX72, 0.75ns, CMOS, SODIMM-200 |
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| M485L2829BT0-CB3 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 128MX72, 0.7ns, CMOS, SODIMM-200 |
|
| M485L2829BT0-LB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 128MX72, 0.75ns, CMOS, SODIMM-200 |
|
| M485L2829BT0-LB3 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 128MX72, 0.7ns, CMOS, SODIMM-200 |
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| M485L2829BU0-CA2 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 128MX72, 0.75ns, CMOS, SODIMM-200 |
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| M485L2829BU0-CB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 128MX72, 0.75ns, CMOS, SODIMM-200 |
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| M485L2829BU0-CB3 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 128MX72, 0.7ns, CMOS, SODIMM-200 |
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| M485L2829BU0-LA2 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 128MX72, 0.75ns, CMOS, SODIMM-200 |
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| M485L2829BU0-LB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 128MX72, 0.75ns, CMOS, SODIMM-200 |
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