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M485L2829BT0-LB0

更新时间: 2024-01-27 16:55:30
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
27页 451K
描述
DDR DRAM Module, 128MX72, 0.75ns, CMOS, SODIMM-200

M485L2829BT0-LB0 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:MODULE
包装说明:DIMM, DIMM200,24针数:200
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.36风险等级:5.92
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:0.75 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):133 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDMA-N200
内存密度:9663676416 bit内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE
内存宽度:72湿度敏感等级:1
功能数量:1端口数量:1
端子数量:200字数:134217728 words
字数代码:128000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128MX72输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM200,24封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度(摄氏度):225
电源:2.5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192自我刷新:YES
子类别:DRAMs最大压摆率:3.51 mA
最大供电电压 (Vsup):2.7 V最小供电电压 (Vsup):2.3 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:0.6 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

M485L2829BT0-LB0 数据手册

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DDR SDRAM  
256MB, 512MB, 1GB Unbuffered SODIMM  
DDR SDRAM SODIMM  
200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb B-die  
with 64 / 72-bit (Non ECC / ECC)  
Revision 1.4  
March. 2004  
Rev. 1.4 March 2004  

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