Datasheet > M372C0405CT0-C50

M372C0405CT0-C50

更新时间： 2024-11-12 20:07:03

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
21页	419K
描述
Fast Page DRAM Module, 4MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

M372C0405CT0-C50 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM, DIMM168	针数：	168
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.28	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	50 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N168	内存密度：	301989888 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM MODULE	内存宽度：	72
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	168	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX72	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM168	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	25.4 mm	最大待机电流：	0.03 A
子类别：	Other Memory ICs	最大压摆率：	0.72 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

M372C0405CT0-C

DRAM MODULE

Buffered 4Mx72 DIMM

(4Mx16 & 4Mx4 base)

Revision 0.0

June 1999

12 3 4 5 6 7...21

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M372C0405CT0-C60	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 4MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168
M372C0803BF0-C600	SAMSUNG	获取价格	DRAM, 8MX72, 60ns, CMOS, PDMA168
M372C0803BJ0-C50	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 8MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168
M372C0803BJ0-C60	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168
M372C0803BT0-C50	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 8MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168
M372C0803CJ0-C50	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 8MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168
M372C0803CT0-C50	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 8MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168
M372C0803CT0-C60	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168
M372C0805BT0-C50	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 8MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168
M372C0805BT0-C60	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168