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Datasheet > 存储 > 其他内存集成电路> M36W432BG85ZA1T
M36W432BG85ZA1T PDF预览

M36W432BG85ZA1T

更新时间： 2024-09-29 22:14:47
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
66页 439K
描述
32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product

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M36W432BG85ZA1T 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：12 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-66
针数：66Reach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：5.71
Is Samacsys：N最长访问时间：85 ns
其他特性：STATIC RAM ORGANISED AS 256K X 16JESD-30 代码：R-PBGA-B66
JESD-609代码：e0长度：12 mm
内存密度：33554432 bit内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT
内存宽度：16混合内存类型：FLASH+SRAM
功能数量：1端子数量：66
字数：2097152 words字数代码：2000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：2MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LFBGA
封装等效代码：BGA66,8X12,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.4 mm最大待机电流：0.00001 A
子类别：Other Memory ICs最大压摆率：0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.3 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：8 mm
Base Number Matches：1

M36W432BG85ZA1T 数据手册

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M36W432TG  
M36W432BG  
32 Mbit (2Mb x16, Boot Block) Flash Memory  
and 4 Mbit (256Kb x16) SRAM, Multiple Memory Product  
PRELIMINARY DATA  
FEATURES SUMMARY  
■ MULTIPLE MEMORY PRODUCT  
SRAM  
■ 4 Mbit (256Kb x 16)  
– 32 Mbit (2Mb x 16), Boot Block, Flash Memory  
– 4 Mbit (256Kb x 16) SRAM Memory  
■ SUPPLY VOLTAGE  
■ ACCESS TIME: 70ns  
■ LOW V  
DATA RETENTION: 1.5V  
DDS  
– V  
– V  
– V  
= 2.7V to 3.3V  
DDF  
DDS  
PPF  
■ POWER DOWN FEATURES USING TWO  
CHIP ENABLE INPUTS  
= V  
= 2.7V to 3.3V  
DDQF  
= 12V for Fast Program (optional)  
Figure 1. Package  
■ ACCESS TIME: 70ns, 85ns  
■ LOW POWER CONSUMPTION  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 20h  
– Top Device Code, M36W432TG: 88BAh  
– Bottom Device Code, M36W432BG: 88BBh  
FBGA  
FLASH MEMORY  
■ MEMORY BLOCKS  
– Parameter Blocks (Top or Bottom Location)  
– Main Blocks  
Stacked LFBGA66 (ZA)  
12 x 8 mm  
■ PROGRAMMING TIME  
– 10µs typical  
– Double Word Programming Option  
– Quadruple Word Programming Option  
■ BLOCK LOCKING  
– All blocks locked at Power up  
– Any combination of blocks can be locked  
– WP for Block Lock-Down  
F
■ AUTOMATIC STANDBY MODE  
■ PROGRAM and ERASE SUSPEND  
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
■ COMMON FLASH INTERFACE  
■ SECURITY  
– 128 bit user programmable OTP cells  
– 64 bit unique device identifier  
November 2002  
1/66  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.  
1234567...66

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与M36W432BG85ZA1T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M36W432BG85ZA6 STMICROELECTRONICS

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 		SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66, 12 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-66
M36W432BG85ZA6T STMICROELECTRONICS

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 		32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Produc
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M36W432T STMICROELECTRONICS

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 		32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product
M36W432T70ZA1 STMICROELECTRONICS

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 		IC,MIXED MEMORY,FLASH+SRAM,CMOS,BGA,66PIN,PLASTIC
M36W432T70ZA1T STMICROELECTRONICS

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 		32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product
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M36W432T70ZA6T NUMONYX

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 		Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA66, 0.80 MM PITCH, STACK, LFBGA-66
M36W432T85ZA1T STMICROELECTRONICS

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