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M368L6423ETM-CC5

更新时间： 2024-01-10 02:41:21

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三星 - SAMSUNG		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数	文件大小	规格书
19页	288K
描述
184pin Unbuffered Module based on 256Mb E-die 64/72-bit ECC/Non ECC

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M368L6423ETM-CC5 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIMM	包装说明：	DIMM, DIMM184
针数：	184	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.65 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	233 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDMA-N184
内存密度：	4294967296 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE
内存宽度：	64	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	184
字数：	67108864 words	字数代码：	64000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64MX64
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM184
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：	2.6 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	自我刷新：	YES
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	3.32 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.6 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

M368L6423ETM-CC5 数据手册

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256MB, 512MB DDR466 Unbuffered DIMM

DDR SDRAM

DDR SDRAM IDD spec table

(V_DD=2.7V, T = 10°C)

M368L3223ETM

Symbol

M381L3223ETM

Unit

Notes

C5(DDR400@CL=3)

IDD0

IDD1

880

1,120

990

1,260

IDD2P

IDD2F

IDD2Q

IDD3P

IDD3N

IDD4R

IDD4W

IDD5

280

320

240

270

520

590

680

770

1,600

1,680

1,800

1,890

IDD6

Normal

Low power

IDD7A

Optional

2,640

2,970

* Module IDD was calculated on the basis of component IDD and can be differently measured according to DQ loading cap.

(V_DD=2.7V, T = 10°C)

M368L6423ETM

M381L6423ETM

Symbol

Unit

Notes

C5(DDR400@CL=3)

IDD0

IDD1

1,560

1,800

1,760

2,030

IDD2P

IDD2F

IDD2Q

IDD3P

IDD3N

IDD4R

IDD4W

IDD5

560

630

480

540

1,040

1,360

2,280

2,360

1,170

1,530

2,570

2,660

IDD6

Normal

Low power

IDD7A

Optional

3,320

3,740

Revision 1.0 December, 2003

1...7 8 91011 12 13...19

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