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M368L6423ETM-CC5

更新时间: 2024-01-23 18:01:41
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三星 - SAMSUNG 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
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19页 288K
描述
184pin Unbuffered Module based on 256Mb E-die 64/72-bit ECC/Non ECC

M368L6423ETM-CC5 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIMM包装说明:DIMM, DIMM184
针数:184Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.36
风险等级:5.92Is Samacsys:N
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:0.65 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):233 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDMA-N184
内存密度:4294967296 bit内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE
内存宽度:64功能数量:1
端口数量:1端子数量:184
字数:67108864 words字数代码:64000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64MX64
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIMM封装等效代码:DIMM184
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源:2.6 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192自我刷新:YES
子类别:DRAMs最大压摆率:3.32 mA
最大供电电压 (Vsup):2.7 V最小供电电压 (Vsup):2.5 V
标称供电电压 (Vsup):2.6 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

M368L6423ETM-CC5 数据手册

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256MB, 512MB DDR466 Unbuffered DIMM  
DDR SDRAM  
512MB, 64M x 64 Non ECC Module (M368L6423ETM) (Populated as 2 bank of x8 DDR SDRAM Module)  
Functional Block Diagram  
CS1  
CS0  
DQS4  
DM4  
DQS0  
DM0  
DQS  
DM  
I/O 7  
CS  
D4  
DQS  
DM  
I/O 0  
I/O 1  
I/O 6  
I/O 7  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
CS  
DM  
I/O 7  
DQS  
DM  
I/O 0  
I/O 1  
I/O 6  
I/O 7  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
CS  
D0  
CS DQS  
D8  
DQ32  
DQ33  
DQ34  
DQ35  
DQ36  
DQ37  
DQ38  
DQ39  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
I/O 6  
I/O 1  
I/O 0  
I/O 5  
I/O 4  
I/O 3  
I/O 2  
D12  
I/O 6  
I/O 1  
I/O 0  
I/O 5  
I/O 4  
I/O 3  
I/O 2  
DQS5  
DM5  
DQS1  
DM1  
DM  
DQS  
DM  
I/O 0  
I/O 1  
I/O 6  
I/O 7  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
CS  
D5  
CS  
DQS  
DM  
DQS  
DQS  
CS  
CS  
D1  
DM  
I/O 0  
I/O 1  
I/O 6  
I/O 7  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
DQ40  
DQ41  
DQ42  
DQ43  
DQ44  
DQ45  
DQ46  
DQ47  
I/O 7  
I/O 6  
I/O 1  
I/O 0  
I/O 5  
I/O 4  
I/O 3  
I/O 2  
DQ8  
DQ9  
I/O 7  
I/O 6  
I/O 1  
I/O 0  
I/O 5  
I/O 4  
I/O 3  
I/O 2  
D13  
D9  
DQ10  
DQ11  
DQ12  
DQ13  
DQ14  
DQ15  
DQS6  
DM6  
DQS2  
DM2  
DM  
I/O 7  
I/O 6  
I/O 1  
I/O 0  
I/O 5  
I/O 4  
I/O 3  
I/O 2  
CS DQS  
D6  
DM  
I/O 0  
I/O 1  
I/O 6  
I/O 7  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
CS DQS  
D14  
DM  
DQS  
CS  
DM  
I/O 7  
I/O 6  
I/O 1  
I/O 0  
I/O 5  
I/O 4  
I/O 3  
I/O 2  
CS DQS  
D2  
DQ48  
DQ49  
DQ50  
DQ51  
DQ52  
DQ53  
DQ54  
DQ55  
I/O 0  
I/O 1  
I/O 6  
I/O 7  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
DQ16  
DQ17  
DQ18  
DQ19  
DQ20  
DQ21  
DQ22  
DQ23  
D10  
DQS7  
DM7  
DQS3  
DM3  
DM  
I/O 0  
I/O 1  
I/O 6  
I/O 7  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
CS DQS  
D15  
DM  
I/O 7  
I/O 6  
I/O 1  
I/O 0  
I/O 5  
I/O 4  
I/O 3  
I/O 2  
CS DQS  
D7  
DM  
I/O 7  
I/O 6  
I/O 1  
I/O 0  
I/O 5  
I/O 4  
I/O 3  
I/O 2  
CS DQS  
D3  
DM  
I/O 0  
I/O 1  
I/O 6  
I/O 7  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
CS DQS  
D11  
DQ56  
DQ57  
DQ58  
DQ59  
DQ60  
DQ61  
DQ62  
DQ63  
DQ24  
DQ25  
DQ26  
DQ27  
DQ28  
DQ29  
DQ30  
DQ31  
Serial PD  
BA0 - BA1  
A0 - A12  
RAS  
BA0-BA1 : DDR SDRAMs D0 - D15  
A0-A12 : DDR SDRAMs D0 - D15  
RAS : DDR SDRAMs D0 - D15  
CAS : DDR SDRAMs D0 - D15  
CKE : DDR SDRAMs D8 - D15  
CKE : DDR SDRAMs D0 - D7  
Clock Wiring  
SCL  
WP  
Clock  
SDA  
SDRAMs  
Input  
A0  
A1  
A2  
4 SDRAMs  
6 SDRAMs  
6 SDRAMs  
CK0/CK0  
CK1/CK1  
CK2/CK2  
CAS  
SA0 SA1 SA2  
CKE1  
CKE0  
*Clock Net Wiring  
D3/D0/D5  
WE  
WE : DDR SDRAMs D0 - D15  
D4/D1/D6  
Notes :  
VDDSPD  
SPD  
1. DQ-to-I/O wiring is shown as recommended  
but may be changed.  
2. DQ/DQS/DM/CKE/CS relationships must be  
maintained as shown.  
3. DQ, DQS, DM/DQS resistors: 22 Ohms + 5%.  
4. BAx, Ax, RAS, CAS, WE resistors: 3.0 Ohms +  
5%  
R=120  
*
Cap/D2/D7  
VDD/VDDQ  
D0 - D15  
D0 - D15  
CK0/1/2  
Card  
Edge  
*
Cap/D8/D13  
VREF  
VSS  
D0 - D15  
D0 - D15  
D11/D9/D14  
*If four DRAMs are loaded,  
Cap will replace DRAM  
D12/D10/D15  
Revision 1.0 December, 2003  

与M368L6423ETM-CC5相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
M368L6423ETM-CCC4 SAMSUNG DDR SDRAM Unbuffered Module

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M368L6423ETM-LC5 SAMSUNG 184pin Unbuffered Module based on 256Mb E-die 64/72-bit ECC/Non ECC

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M368L6423ETM-LCC SAMSUNG DDR DRAM Module, 64MX64, 0.65ns, CMOS, DIMM-184

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M368L6423ETN-A2 SAMSUNG DDR SDRAM Unbuffered Module

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M368L6423ETN-AA SAMSUNG DDR SDRAM Unbuffered Module

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M368L6423ETN-B0 SAMSUNG DDR SDRAM Unbuffered Module

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