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M368L2923BTM-CC4

更新时间: 2023-01-02 16:23:29
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三星 - SAMSUNG 动态存储器双倍数据速率
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23页 359K
描述
DDR DRAM Module, 128MX64, 0.65ns, CMOS, DIMM-184

M368L2923BTM-CC4 数据手册

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256MB, 512MB, 1GB Unbuffered DIMM  
DDR SDRAM  
256MB, 32M x 64 Non ECC Module (M368L3324BTM) (Populated as 1 bank of x16 DDR SDRAM Module)  
Functional Block Diagram  
CS0  
CS  
DQS1  
DM1  
LDQS  
LDM  
CS  
D0  
LDQS  
LDM  
DQS5  
DM5  
DQ8  
DQ9  
I/O 6  
I/O 4  
I/O 1  
I/O 3  
I/O 2  
I/O 0  
DQ40  
DQ41  
DQ42  
DQ43  
DQ44  
DQ45  
DQ46  
DQ47  
I/O 6  
I/O 4  
I/O 1  
I/O 3  
I/O 2  
I/O 0  
D2  
DQ10  
DQ11  
DQ12  
DQ13  
DQ14  
I/O 5  
I/O 5  
I/O 7  
UDQS  
UDM  
I/O 8  
I/O 10  
I/O 15  
I/O 13  
I/O 12  
I/O 14  
I/O 11  
I/O 9  
DQ15  
I/O 7  
UDQS  
UDM  
I/O 8  
I/O 10  
I/O 15  
I/O 13  
I/O 12  
I/O 14  
I/O 11  
I/O 9  
DQS0  
DM0  
DQS4  
DM4  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ32  
DQ33  
DQ34  
DQ35  
DQ36  
DQ37  
DQ38  
DQ39  
DQS7  
DM7  
CS  
D1  
CS  
D3  
DQS3  
DM3  
LDQS  
LDM  
I/O 6  
I/O 4  
I/O 1  
I/O 3  
I/O 2  
I/O 0  
I/O 5  
I/O 7  
UDQS  
UDM  
LDQS  
LDM  
DQ56  
DQ57  
DQ58  
DQ59  
DQ60  
DQ61  
DQ62  
DQ63  
DQ24  
DQ25  
DQ26  
DQ27  
DQ28  
DQ29  
DQ30  
DQ31  
I/O 6  
I/O 4  
I/O 1  
I/O 3  
I/O 2  
I/O 0  
I/O 5  
I/O 7  
DQS2  
DM2  
DQS6  
DM6  
UDQS  
UDM  
DQ48  
DQ49  
DQ50  
DQ51  
DQ52  
DQ53  
DQ54  
DQ55  
I/O 8  
DQ16  
DQ17  
DQ18  
DQ19  
DQ20  
DQ21  
DQ22  
DQ23  
I/O 8  
I/O 10  
I/O 15  
I/O 13  
I/O 12  
I/O 14  
I/O 11  
I/O 9  
I/O 10  
I/O 15  
I/O 13  
I/O 12  
I/O 14  
I/O 11  
I/O 9  
*Clock Net Wiring  
Cap/D0/*Cap  
BA0 - BA1  
A0 - A12  
BA0-BA1: DDR SDRAMs D0 - D3  
A0-A12: DDR SDRAMs D0 - D3  
Cap  
R=120Ω  
Cap/*Cap/D2  
RAS  
RAS: DDR SDRAMs D0 - D3  
CK0/1/2  
Clock Wiring  
CAS  
CAS: DDR SDRAMs D0 - D3  
CKE: DDR SDRAMs D0 - D3  
Card  
Edge  
Cap  
Clock  
CKE0  
DDR SDRAMs  
Input  
Cap/D1/D3  
NC  
WE  
WE: DDR SDRAMs D0 - D3  
CK0/CK0  
CK1/CK1  
CK2/CK2  
*If two DRAMs are loaded,  
Cap will replace DRAM  
2 DDR SDRAMs  
2 DDR SDRAMs  
Cap  
VDDSPD  
SPD  
Notes:  
Serial PD  
VDD/VDDQ  
D0 - D3  
D0 - D3  
1. DQ-to-I/O wiring is shown as recomended but  
may be changed.  
SCL  
WP  
SDA  
2. DQ/DQS/DM/CKE/CS relationships must be  
maintained as shown.  
3. DQ, DQS, DM/DQS resistors: 22 Ohms + 5%.  
4. BAx, Ax, RAS, CAS, WE resistors: 7.5 Ohms  
+ 5%  
VREF  
VSS  
A0  
A1  
A2  
D0 - D3  
D0 - D3  
SA0 SA1 SA2  
Rev. 1.2 November 2004  

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