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M368L2923BUN-CB0

更新时间: 2024-09-17 15:39:43
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
25页 487K
描述
DDR DRAM Module, 128MX64, 0.75ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-184

M368L2923BUN-CB0 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIMM包装说明:DIMM,
针数:184Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.36
风险等级:5.84访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.75 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码:R-XDMA-N184内存密度:8589934592 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE内存宽度:64
湿度敏感等级:2功能数量:1
端口数量:1端子数量:184
字数:134217728 words字数代码:128000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128MX64
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIMM
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
自我刷新:YES最大供电电压 (Vsup):2.7 V
最小供电电压 (Vsup):2.3 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
Base Number Matches:1

M368L2923BUN-CB0 数据手册

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256MB, 512MB, 1GB Unbuffered DIMM Pb-Free  
DDR SDRAM  
DDR SDRAM Unbuffered Module  
184pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die  
with 64/72-bit ECC/Non ECC  
66 TSOP(II) with Pb-Free  
(RoHS compliant)  
Revision 1.1  
Oct. 2004  
Revision 1.1 Oct. 2004  

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