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M2S12D30TP-75

更新时间： 2024-11-30 22:08:23

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		存储内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率时钟
页数	文件大小	规格书
38页	752K
描述
512M Double Data Rate Synchronous DRAM

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M2S12D30TP-75 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	SOP, TSSOP66,.46
针数：	66	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.28
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.75 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G66	JESD-609代码：	e0
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	66
字数：	67108864 words	字数代码：	64000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	TSSOP66,.46
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
自我刷新：	YES	连续突发长度：	2,4,8
最大待机电流：	0.006 A	子类别：	DRAMs
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.635 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

M2S12D30TP-75 数据手册

DDR SDRAM (Rev.1.1)

MITSUBISHI LSIs

MITSUBISHI

ELECTRIC

M2S12D20/ 30TP -75, -75L, -10, -10L

Feb. '02

512M Double Data Rate Synchronous DRAM

DESCRIPTION

M2S12D20TP is a 4-bank x 33,554,432-word x 4-bit,

M2S12D30TP is a 4-bank x 16,777,216-word x 8-bit,

double data rate synchronous DRAM, with SSTL_2 interface. All control and address signals are

referenced to the rising edge of CLK. Input data is registered on both edges of data strobes, and

output data and data strobe are referenced on both edges of CLK. The M2S12D20/30TP achieve

very high speed data rate up to 133MHz, and are suitable for main memory in computer systems.

FEATURES

- Vdd=Vddq=2.5V+0.2V

- Double data rate architecture; two data transfers per clock cycle

- Bidirectional, data strobe (DQS) is transmitted/received with data

- Differential clock inputs (CLK and /CLK)

- DLL aligns DQ and DQS transitions

- Commands are entered on each positive CLK edge;

- data and data mask are referenced to both edges of DQS

- 4 bank operations are controlled by BA0, BA1 (Bank Address)

- /CAS latency- 2.0/2.5 (programmable)

- Burst length- 2/4/8 (programmable)

- Burst type- sequential / interleave (programmable)

- Auto precharge / All bank precharge is controlled by A10

- 8192 refresh cycles /64ms (4 banks concurrent refresh)

- Auto refresh and Self refresh

- Row address A0-12 / Column address A0-9,11-12(x4)/ A0-9,11(x8)

SSTL_2 Interface

- 400-mil, 66-pin Thin Small Outline Package (TSOP II)

- JEDEC standard

- Low Power for the Self Refresh Current ICC6 :4mA (-75L,-10L)

Operating Frequencies

Speed Grade

Clock Rate

CL=2.5 *

CL=2 *

100MHz

-75 / -75L

-10 / -10L

133MHz

125MHz

* CL = CAS(Read) Latency

Contents are subject to change without notice.

-1-

MITSUBISHI ELECTRIC

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与M2S12D30TP-75相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M2S12D30TP-75L	MITSUBISHI	获取价格	512M Double Data Rate Synchronous DRAM
M2S12FBJ60.0000MHZ	MTRONPTI	获取价格	Oscillator, 1MHz Min, 60MHz Max, 60MHz Nom,
M2S15TAJ60.0000MHZ	MTRONPTI	获取价格	Oscillator, 1MHz Min, 60MHz Max, 60MHz Nom,
M2S16FBJ01.0000MHZ	MTRONPTI	获取价格	Oscillator, 1MHz Min, 60MHz Max, 1MHz Nom,
M2S23FCJ20.0000MHZ	MTRONPTI	获取价格	HCMOS/TTL Output Clock Oscillator, 20MHz Nom, J-LEADED, 4 PIN
M2S23FCJ60.0000MHZ	MTRONPTI	获取价格	Oscillator, 1MHz Min, 60MHz Max, 60MHz Nom,
M2S23TAJ01.0000MHZ	MTRONPTI	获取价格	Oscillator, 1MHz Min, 60MHz Max, 1MHz Nom,
M2S23TAJ-60.000MHZ	MTRONPTI	获取价格	Quartz Crystal,
M2S23TBJ01.0000MHZ	MTRONPTI	获取价格	Oscillator, 1MHz Min, 60MHz Max, 1MHz Nom,
M2S23TBJ60.0000MHZ	MTRONPTI	获取价格	Oscillator, 1MHz Min, 60MHz Max, 60MHz Nom,

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