5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-44 |
| 针数： | 44 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.48 | 最长访问时间： | 120 ns |
| 其他特性： | BOTTOM BOOT BLOCK | 备用内存宽度： | 8 |
| 启动块： | BOTTOM | 命令用户界面： | YES |
| 数据轮询： | YES | 耐久性： | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G44 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 28.2 mm | 内存密度： | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 部门数/规模： | 1,2,1,7 |
| 端子数量： | 44 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 256KX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装等效代码： | SOP44,.63 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 3/3.3 V |
| 编程电压： | 2.7 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 就绪/忙碌： | YES | 座面最大高度： | 2.62 mm |
| 部门规模： | 16K,8K,32K,64K | 最大待机电流： | 0.0001 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.02 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 切换位： | YES | 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 13.3 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M29W400BB120M6T | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
|
| M29W400BB120M6T | NUMONYX |
获取价格 |
Flash, 256KX16, 120ns, PDSO44, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-44 |
|
| M29W400BB120N1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory |
|
| M29W400BB120N1T | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
|
| M29W400BB120N6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory |
|
| M29W400BB120N6T | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
|
| M29W400BB120ZA1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory |
|
| M29W400BB120ZA1T | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory |
|
| M29W400BB120ZA1T | NUMONYX |
获取价格 |
Flash, 256KX16, 120ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-48 |
|
| M29W400BB120ZA6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
