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M29W400BB55M1T

更新时间： 2024-01-10 17:09:36

品牌	Logo	应用领域
恒忆 - NUMONYX		光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
26页	313K
描述
Flash, 256KX16, 55ns, PDSO44, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-44

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M29W400BB55M1T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	SOP,
针数：	44	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.23	最长访问时间：	55 ns
其他特性：	BOTTOM BOOT BLOCK	备用内存宽度：	8
启动块：	BOTTOM	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
JESD-609代码：	e3	长度：	28.2 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.62 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	类型：	NOR TYPE
宽度：	13.3 mm	Base Number Matches：	1

M29W400BB55M1T 数据手册

M29W400BT

M29W400BB

4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block)

Low Voltage Single Supply Flash Memory

■ SINGLE 2.7 to 3.6V SUPPLY VOLTAGE for

PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS

■ ACCESS TIME: 55ns

FBGA

■ PROGRAMMING TIME

– 10µs per Byte/Word typical

■ 11 MEMORY BLOCKS

TSOP48 (N)

12 x 20mm

TFBGA48 (ZA)

6 x 8 ball array

– 1 Boot Block (Top or Bottom Location)

– 2 Parameter and 8 Main Blocks

■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER

– Embedded Byte/Word Program algorithm

– Embedded Multi-Block/Chip Erase algorithm

– Status Register Polling and Toggle Bits

– Ready/Busy Output Pin

■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES

SO44 (M)

– Read and Program another Block during

Erase Suspend

■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND

– Faster Production/Batch Programming

Figure 1. Logic Diagram

■ TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION

MODE

■ LOW POWER CONSUMPTION

– Standby and Automatic Standby

■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

A0-A17

DQ0-DQ14

■ 20 YEARS DATA RETENTION

– Defectivity below 1 ppm/year

DQ15A–1

BYTE

M29W400BT

M29W400BB

■ ELECTRONIC SIGNATURE

– Manufacturer Code: 0020h

– Top Device Code M29W400BT: 00EEh

– Bottom Device Code M29W400BB: 00EFh

AI02934

June 2001

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M29W400BB55M6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
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M29W400BB55N6	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W400BB55N6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
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