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M29W400BB70M1

更新时间： 2024-01-27 20:28:25
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
25页 241K
描述
4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory

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M29W400BB70M1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOIC包装说明：0.525 INCH, PLASTIC, SOP-44
针数：44Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.4Is Samacsys：N
最长访问时间：70 ns其他特性：BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度：8启动块：BOTTOM
命令用户界面：YES数据轮询：YES
耐久性：100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PDSO-G44
JESD-609代码：e3长度：28.2 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：1,2,1,7端子数量：44
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：256KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP44,.63封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
电源：3/3.3 V编程电压：2.7 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：2.62 mm部门规模：16K,8K,32K,64K
最大待机电流：0.0001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.02 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：13.3 mm
Base Number Matches：1

M29W400BB70M1 数据手册

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M29W400BT  
M29W400BB  
4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block)  
Low Voltage Single Supply Flash Memory  
■ SINGLE 2.7 to 3.6V SUPPLY VOLTAGE for  
PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS  
■ ACCESS TIME: 55ns  
FBGA  
■ PROGRAMMING TIME  
– 10µs per Byte/Word typical  
■ 11 MEMORY BLOCKS  
TSOP48 (N)  
12 x 20mm  
TFBGA48 (ZA)  
6 x 8 ball array  
– 1 Boot Block (Top or Bottom Location)  
– 2 Parameter and 8 Main Blocks  
■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER  
– Embedded Byte/Word Program algorithm  
– Embedded Multi-Block/Chip Erase algorithm  
– Status Register Polling and Toggle Bits  
– Ready/Busy Output Pin  
44  
1
■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
SO44 (M)  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND  
– Faster Production/Batch Programming  
Figure 1. Logic Diagram  
■ TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION  
MODE  
V
CC  
■ LOW POWER CONSUMPTION  
– Standby and Automatic Standby  
18  
15  
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
A0-A17  
DQ0-DQ14  
■ 20 YEARS DATA RETENTION  
– Defectivity below 1 ppm/year  
W
E
DQ15A–1  
BYTE  
RB  
M29W400BT  
M29W400BB  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 0020h  
G
– Top Device Code M29W400BT: 00EEh  
– Bottom Device Code M29W400BB: 00EFh  
RP  
V
SS  
AI02934  
June 2001  
1/25  
1234567...25

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与M29W400BB70M1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W400BB70M1T STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W400BB70M6 STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W400BB70M6T STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W400BB70N1 STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory
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